[發明專利]單光子雪崩光電二極管的制作方法

有效

• 申請號: 201610648715.7
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN106057958B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 王偉;張鈺;衛振奇
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/18
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙)33240
• 代理人: 杜軍

1.單光子雪崩光電二極管的制作方法，其特征在于：該方法采用的單光子雪崩光電二極管，包括深n阱層、p-襯底層、第一p+型半導體層、p-阱層、p-型半導體層、二氧化硅層、陽極電極和陰極電極、n+型半導體層和第二p+型半導體層，所述的p-阱層、p-型半導體層、陽極電極、陰極電極、n+型半導體層和第二p+型半導體層均為圓環形；深n阱層位于p-襯底層的中心摻雜區；p-阱層、p-型半導體層和n+型半導體層均位于深n阱層的外端面摻雜區，且p-型半導體層位于p-阱層的外周和n+型半導體層的內周之間；p-阱層的內周設置第一p+型半導體層；第二p+型半導體層位于p-襯底層的側部摻雜區；第一p+型半導體層和第二p+型半導體層的外端均設置陽極電極，n+型半導體層的外端設置陰極電極；二氧化硅層覆蓋p-阱層、p-型半導體層、n+型半導體層和第二p+型半導體層的外端；

該方法具體如下：

步驟一、在硅基上采用硼離子進行均勻p-襯底摻雜，在p-襯底的中心摻雜區采用磷離子摻雜形成深n阱層，深n阱層和p-襯底形成pn結；

步驟二、在深n阱層的外端中心采用硼離子摻雜第一p+型半導體層，第一p+型半導體層和深n阱層之間形成耗盡層；

步驟三、在第一p+型半導體層的外側采用硼離子摻雜p-阱層；p-阱層位于深n阱層內；

步驟四、在p-阱層的外周采用硼離子摻雜p-型半導體層；p-阱層的外周與p-型半導體層的內周間距為2～3μm；p-型半導體層位于深n阱層內；

步驟五、在p-型半導體層外周采用磷離子摻雜n+型半導體層，并在n+型半導體層外周采用硼離子摻雜第二p+型半導體層；n+型半導體層位于深n阱層內，第二p+型半導體層位于p-襯底上；

步驟六、第一p+型半導體層和第二p+型半導體層的外端均設置陽極電極，n+型半導體層的外端設置陰極電極；

步驟七、二氧化硅層覆蓋p-阱層、p-型半導體層、n+型半導體層和第二p+型半導體層的外端。