[發明專利]一種去耦組件、多天線系統及終端有效
| 申請號: | 201610648456.8 | 申請日: | 2016-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN107706529B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 徐速;王俊 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/52 | 分類號: | H01Q1/52;H01Q3/00;H01Q21/00;H01Q1/24;H04M1/02;G06F1/16 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組件 天線 系統 終端 | ||
1.一種多天線系統,其特征在于,所述多天線系統包括:相鄰的第一天線單元和第二天線單元,所述第一天線單元和所述第二天線單元之間設置有去耦組件,所述第一天線單元和所述第二天線單元之間的間距處于亞波長范圍;
其中,所述去耦組件由具有電各向異性或電磁雙各向異性的電磁材料構成,以降低所述第一天線單元和所述第二天線單元之間產生的耦合;
其中,所述去耦組件包括N個第一去耦單元,N為大于0的整數;
所述第一去耦單元包括:絕緣的電介質基板,以及設置在所述電介質基板上的至少一個閉合導電環,其中,所述閉合導電環所在的平面,與設置所述第一天線單元和所述第二天線單元的接地板相交;或者,
所述去耦組件包括M個第二去耦單元,M為大于0的整數;
所述第二去耦單元包括:平行設置的第一介質基板和第二介質基板,所述第一介質基板所在的平面與設置所述第一天線單元和所述第二天線單元的接地板相交,其中,所述第一介質基板的介電常數與所述第二介質基板的介電常數不同;
其中,在所述第一天線單元的介電常數與所述第二天線單元的介電常數相等的情況下,所述第一介質基板的介電常數大于所述第一天線單元的介電常數,所述第二介質基板的介電常數小于所述第一天線單元的介電常數。
2.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述閉合導電環的法線分別指向所述第一天線單元和所述第二天線單元。
3.根據權利要求2所述的多天線系統,其特征在于,相鄰兩個所述第一去耦單元之間相互接觸;
其中,所述電介質基板的厚度小于0.5個介質波長,所述介質波長是指所述第一天線單元工作時輻射的電磁波在所述電磁材料中的波長,所述第一天線單元的工作頻率大于或等于所述第二天線單元的工作頻率。
4.根據權利要求2所述的多天線系統,其特征在于,相鄰兩個所述第一去耦單元之間設置有間距,
其中,所述電介質基板的厚度與所述間距大小之和小于0.5個介質波長,所述介質波長是指所述第一天線單元工作時輻射的電磁波在所述電磁材料中的波長,所述第一天線單元的工作頻率大于或等于所述第二天線單元的工作頻率。
5.根據權利要求3或4所述的多天線系統,其特征在于,所述電介質基板的任意邊長小于0.5個所述介質波長。
6.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述電介質基板包括:與所述第一天線單元相對的第一表面,以及與所述第二天線單元相對的第二表面,所述閉合導電環設置在所述第一表面和/或所述第二表面。
7.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述第一天線單元和所述第二天線單元均包括:天線支架,以及安裝在天線支架上的輻射主體;所述輻射主體與所述去耦組件之間設有間距。
8.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述多天線系統還包括與所述去耦組件相對設置的接地板。
9.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述多天線系統包括:沿接地板兩端對稱設置的第一天線組和第二天線組,所述第一天線組包括沿所述接地板邊緣依次排列的第三天線單元、所述第一天線單元、所述第二天線單元以及第四天線單元,
其中,在所述第一天線單元和所述第二天線單元之間設置有所述去耦組件。
10.根據權利要求1所述的多天線系統,其特征在于,所述多天線系統包括:沿接地板的4個頂點設置的四組天線對,每組天線對包括所述第一天線單元和所述第二天線單元,所述第一天線單元和所述第二天線單元之間設置有所述去耦組件。
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