[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610646944.5
• 申請(qǐng)日: 2016-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN107706111B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有第一鰭部和第二鰭部，第一鰭部具有第一寬度，第二鰭部具有第二寬度，第二寬度大于第一寬度；

在半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋第一鰭部側(cè)壁和第二鰭部側(cè)壁的第一隔離膜；

在所述第一隔離膜中形成凹槽，所述凹槽暴露出第二鰭部的側(cè)壁；

所述凹槽側(cè)壁與相鄰所述第一鰭部側(cè)壁之間的距離大于所述凹槽側(cè)壁與相鄰所述第二鰭部側(cè)壁之間的距離；

采用流體化學(xué)氣相沉積工藝在所述凹槽中形成第二隔離膜，所述流體化學(xué)氣相沉積工藝包括含氧退火，所述含氧退火適于氧化第二鰭部的側(cè)壁，被氧化的所述第二鰭部的側(cè)壁對(duì)應(yīng)區(qū)域形成副產(chǎn)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述含氧退火為水汽退火。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述流體化學(xué)氣相沉積工藝包括：在所述凹槽中形成隔離流體層；進(jìn)行水汽退火，使所述隔離流體層形成第二隔離膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述水汽退火的參數(shù)包括：采用的氣體包括氧氣、臭氧和氣態(tài)水，退火溫度為350攝氏度～750攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述流體化學(xué)氣相沉積工藝還包括：進(jìn)行水汽退火后，對(duì)所述第二隔離膜進(jìn)行致密化退火處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述致密化退火處理的參數(shù)包括：采用的氣體包括氮?dú)猓嘶饻囟葹?50攝氏度～1050攝氏度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括：采用流體化學(xué)氣相沉積工藝形成第二隔離膜之前，在所述凹槽暴露出的第二鰭部的側(cè)壁表面形成控制層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述控制層沿垂直于第二鰭部側(cè)壁方向上的尺寸為5埃～50埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述控制層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二隔離膜的材料為氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽暴露出第二鰭部一側(cè)的側(cè)壁；或者，所述凹槽暴露出第二鰭部兩側(cè)的側(cè)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部和第二鰭部的頂部表面具有掩膜層；所述第一隔離膜還覆蓋所述掩膜層的側(cè)壁。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一隔離膜覆蓋第一鰭部和第二鰭部的側(cè)壁且暴露出第一鰭部和第二鰭部的頂部表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二隔離膜還位于第一鰭部和第二鰭部上、以及第一隔離膜表面；所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：去除高于第一鰭部和第二鰭部頂部表面的第二隔離膜。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一隔離膜覆蓋第一鰭部和第二鰭部的側(cè)壁和頂部表面。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二隔離膜還位于第一隔離膜表面；所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：去除高于第一鰭部和第二鰭部頂部表面的第一隔離膜和第二隔離膜。