[發明專利]非易失性存儲設備及其操作方法有效
| 申請號: | 201610645104.7 | 申請日: | 2016-08-09 |
| 公開(公告)號: | CN106653073B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 李知尚;樸商秀;沈烔教 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10;G11C7/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 錢大勇;張婧 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非易失性 存儲 設備 及其 操作方法 | ||
1.一種非易失性存儲設備,包括:
存儲單元陣列,其包括耦合至第一字線至第M字線和第一位線至第N位線的多個存儲單元,其中M和N是大于2的整數;以及
頁緩沖器電路,其包括分別耦合至所述第一位線至第N位線的第一頁緩沖器至第N頁緩沖器,其中所述第一頁緩沖器至第N頁緩沖器分別生成第一輸出數據至第N輸出數據,
其中所述第一頁緩沖器至第N頁緩沖器的第K頁緩沖器包括第一鎖存器至第L鎖存器,所述第一鎖存器至第L鎖存器在讀電壓被施加到所述第一字線至第M字線的第P字線之后,通過在不同的采樣定時處對通過第K位線被放電的第K輸出線的電壓進行采樣,來生成讀數據,
其中K是小于或等于N的自然數,L是大于1的自然數,P是小于或等于M的自然數,以及
其中所述第K頁緩沖器基于所述第一鎖存器的讀數據中的誤差是否可校正,來輸出所述第K輸出數據。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲設備,其中當所述第一鎖存器的讀數據中的誤差不可校正時,所述第K頁緩沖器將所述第二鎖存器至第L鎖存器的讀數據之一作為所述第K輸出數據來輸出。
3.根據權利要求1所述的非易失性存儲設備,其中當所述第一鎖存器的讀數據中的誤差可校正時,所述第K頁緩沖器將所述第一鎖存器的誤差校正后的讀數據作為所述第K輸出數據來輸出。
4.根據權利要求1所述的非易失性存儲設備,其中所述第K頁緩沖器利用預充電電壓對所述第K位線進行充電,并利用電源電壓對所述第K輸出線進行充電,并且然后,在放電間隔中通過所述第K位線對所述第K輸出線進行放電,以及
其中所述采樣定時位于所述放電間隔內。
5.根據權利要求4所述的非易失性存儲設備,其中當所述第K輸出線的電壓在所述采樣定時之一處大于或等于參考電壓時,所述第K頁緩沖器確定與第P字線和第K位線連接的第一存儲單元是閾值電壓大于或等于所述讀電壓的關斷單元;否則,所述第K頁緩沖器確定所述第一存儲單元是閾值電壓小于所述讀電壓的接通單元。
6.根據權利要求4所述的非易失性存儲設備,其中
在所述采樣定時之一處,所述第K頁緩沖器確定與第P字線和第K位線連接的第一存儲單元是閾值電壓大于或等于所述讀電壓的關斷單元還是閾值電壓小于所述讀電壓的接通單元,
所述采樣定時在所述放電間隔期間越早出現,則所述第K頁緩沖器確定所述第一存儲單元是所述關斷單元的可能性越大,以及
所述采樣定時在所述放電間隔期間越晚出現,則所述第K頁緩沖器確定所述第一存儲單元是所述接通單元的可能性越大。
7.根據權利要求4所述的非易失性存儲設備,還包括:
控制電路,其被配置為響應于命令信號和地址信號,生成行地址信號和列地址信號;以及
地址解碼器,其被配置為向所述第一字線至第M字線之一施加至少一個讀電壓,
其中所述頁緩沖器電路響應于所述列地址信號而操作。
8.根據權利要求7所述的非易失性存儲設備,其中當所述存儲單元中的每個是單級單元時,所述地址解碼器向所述第一字線至第M字線之一施加讀電壓,并且所述頁緩沖電路對第一輸出線至第N輸出線的電壓進行采樣。
9.根據權利要求7所述的非易失性存儲設備,其中當所述存儲單元中的每個是多級單元或三級單元時,所述地址解碼器向所述第一字線至第M字線之一順序地施加多個讀電壓,并且所述頁緩沖器電路對第一輸出線至第N輸出線的電壓順序地采樣多次。
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