[發明專利]一種低表面濃度可組裝p?n結晶體硅太陽能電池的制備方法有效
| 申請號： | 201610644640.5 | 申請日： | 2016-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN106057982B | 公開（公告）日： | 2018-02-27 |
| 發明（設計）人： | 石強;秦崇德;方結彬;黃玉平;何達能;陳剛 | 申請（專利權）人： | 廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知識產權代理事務所(普通合伙)44283 | 代理人： | 張伶俐 |
| 地址： | 528100 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 濃度 組裝 結晶體 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
1)在P型硅上表面進行制絨；
2)在制絨完畢的P型硅表面制備40-300層N型納米硅薄膜，40-300層N型納米硅薄膜依次層疊覆蓋在P型硅表面，N型納米硅薄膜邊長小于P型硅邊長；
3)對覆蓋有40-300層N型納米硅薄膜的P型硅進行退火處理；
4)制備減反膜，減反膜將40-300層N型納米硅薄膜和P型硅表面沒被N型納米硅薄膜覆蓋的部分全部覆蓋；
5)在P型硅下表面制備背電極、背電場；
6)在N型納米硅薄膜上表面制作正電極。
2.按照權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中，N型納米硅薄膜的邊長比P型硅邊長少1-2mm。
3.按照權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述步驟2)中，N型納米硅薄膜厚度為1-5nm，密度2.35g/cm3。
4.如權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述N型納米硅薄膜的P原子表面濃度為3*1019至8*1019個/cm3。
5.如權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：在步驟3)中，還包括步驟31)將40-300層N型納米硅薄膜覆蓋在硅片表面后，對硅片進行層壓使40-300層N型納米硅薄膜和硅片形成良好接觸。
6.按照權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：在步驟3)中，退火處理在氫氣氣氛中進行，退火溫度500-750℃，時間5-15min。
7.按照權利要求1所述的一種低表面濃度可組裝p-n結晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟4)中，所述減反膜采用平板式PECVD的方法制備。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東愛旭科技股份有限公司，未經廣東愛旭科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610644640.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：光柵（矩形）
- 下一篇：帶圖形用戶界面的氣體檢測儀
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
