[發明專利]集成電路結構

有效

• 申請號: 201610643550.4
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN106816440B
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;G11C11/413
• 代理公司: 72003 隆天知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭泰強;李昕巍

1.一種集成電路結構，包括：

一靜態隨機存取存儲器，包括：

一第一上拉金氧半導體裝置與一第二上拉金氧半導體裝置；及

一第一下拉金氧半導體裝置與一第二下拉金氧半導體裝置，與該第一上拉金氧半導體裝置及該第二上拉金氧半導體裝置形成交錯栓鎖反相器；

一加長接觸物，位于該第一下拉金氧半導體裝置的一源極上且電性耦接該第一下拉金氧半導體裝置的該源極；

一第一金屬層，具有位于該第一金屬層內的一第一位元線與一第一CVdd導線；

一第一CVss著陸接墊，與該加長接觸物重疊且電性耦接該加長接觸物，其中該第一CVss著陸接墊具有位于該靜態隨機存取存儲器內的一部，而該部具有小于該靜態隨機存取存儲器的一第二長度與一第二寬度的一第一長度與一第一寬度；

一第一字元線，具有一第一縱長方向，其中該第一字元線與該第一CVss著陸接墊位于該第一金屬層上的一第二金屬層內；以及

一第一CVss導線，位于該第二金屬層上的一第三金屬層內，其中該第一CVss導線電性連接于該第一CVss著陸接墊，而該第一CVss導線具有垂直于該第一縱長方向的一第二縱長方向。

2.如權利要求1所述的集成電路結構，其中該靜態隨機存取存儲器具有相互平行的一第一邊界與一第二邊界，以及相互平行的一第三邊界與一第四邊界，其中該第一CVss著陸接墊與該第一邊界與該第四邊界重疊且未沿伸至該第二邊界與該第三邊界。

3.如權利要求2所述的集成電路結構，還包括一第二CVss著陸接墊，與該第二邊界和該第三邊界重疊且未延伸至該第一邊界和該第四邊界。

4.如權利要求2所述的集成電路結構，其中該第一字元線自該第三邊界沿伸至該第四邊界。

5.如權利要求1所述的集成電路結構，其中該第一字元線包括一條狀部以及位于該條狀部一側上的一凸出部。

6.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括一第二字元線，位于該第三金屬層上的一第四金屬層內，其中該第二字元線平行于該第一字元線且具有與該第一字元線的一部重疊的一部，而該第一字元線電性耦接結于該第二字元線。

7.如權利要求1所述的集成電路結構，還包括一第二CVss導線，位于該第三金屬層上的一第四金屬層內，其中該第二CVss導線垂直于該第一CVss導線且具有與該第一CVss導線一部重疊的一部，而該第一CVss導線電性耦接于該第二CVss導線。

8.如權利要求1所述的集成電路結構，其中該第二金屬層具有大于該第一金屬層的厚度及該第三金屬層的厚度的一厚度。

9.一種集成電路結構，包括：

一靜態隨機存取存儲器，具有相互平行的一第一邊界與一第二邊界，及相互平行的一第三邊界與一第四邊界，該靜態隨機存取存儲器，包括：

一第一上拉金氧半導體裝置與一第二上拉金氧半導體裝置；及

一第一下拉金氧半導體裝置與一第二下拉金氧半導體裝置，與該第一上拉金氧半導體裝置及該第二上拉金氧半導體裝置形成一交錯栓鎖反相器；

一加長接觸物，位于該第一下拉金氧半導體裝置的一源極上并電性耦接該第一下拉金氧半導體裝置的該源極；

一第一金屬層，位于該加長接觸物上，具有位于該第一金屬層內的一第一位元線與一第一CVdd導線；

一第一字元線，自該第三邊界沿伸至該第四邊界，其中該第一字元線是位于該第一金屬層上的一第二金屬層內，而該第一字元線包括：

一條狀部，位于該靜態隨機存取存儲器內，該條狀部具有長方形上視形狀；及

一第一凸出部，連接于該條狀部的一第一側壁，其中該第一凸出部朝該第一邊界沿伸，且該第一凸出部自該第三邊界朝該第四邊界沿伸，且與該第四邊界分隔；

以及

一第一CVss導線，位于該第二金屬層上的一第三金屬層內。