[發明專利]接合結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201610643423.4
• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN106601622B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 李明機;劉重希;古進譽;郭宏瑞;亞歷山大·卡爾尼茨基;何明哲;吳逸文;陳清暉;劉國洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成接合結構的方法，包括：

在導電焊盤上方形成第一介電層；

在所述第一介電層上方形成第二介電層；

蝕刻所述第二介電層以形成第一開口，所述第一介電層的頂面暴露于所述第一開口；

形成延伸至所述第一開口中的共形介電層，其中，所述共形介電層包括與所述第一介電層的頂面接觸的底部，并且所述底部的底面位于所述第一介電層的頂面和底面之間；

形成填充所述第一開口的模板層；

在所述模板層上方形成圖案化的光刻膠；

蝕刻所述模板層和所述第一介電層以形成第二開口，所述導電焊盤的頂面暴露于所述第二開口，其中，使用所述圖案化的光刻膠作為蝕刻掩模來蝕刻所述模板層和所述第一介電層；

去除所述圖案化的光刻膠；以及

利用所述模板層而不是所述圖案化的光刻膠作為鍍模板在所述第二開口中鍍導電柱，

其中，所述導電柱貫穿所述共形介電層的底部和位于所述共形介電層的底部之下的所述第一介電層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

使所述導電柱與封裝件組件接觸，而所述共形介電層與所述封裝件組件間隔開；以及

將所述導電柱與所述封裝件組件分離。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：蝕刻所述模板層以再次暴露出所述第一開口，其中，所述導電柱的側壁暴露于所述第一開口。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電柱與所述共形介電層的側壁間隔開。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：通過焊料區域將所述導電柱接合至導電部件，其中，所述焊料區域填充所述第一開口并且接觸所述導電柱的側壁。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，實施鍍所述導電柱而不形成毯式晶種層。

7.一種形成接合結構的方法，包括：

在導電焊盤上方形成第一介電層，而所述第一介電層是平坦層；

在所述第一介電層上方形成第二介電層；

蝕刻所述第二介電層以形成第一開口，其中，當暴露出所述第一介電層的頂面時，停止蝕刻所述第二介電層；

形成延伸至所述第一開口的共形介電層，其中，所述共形介電層包括與所述第一介電層的頂面接觸的底部，并且所述底部的底面位于所述第一介電層的頂面和底面之間；

在所述共形介電層上方形成填充所述第一開口的模板層；

在所述模板層上方形成圖案化的光刻膠；

使用所述圖案化的光刻膠作為蝕刻掩模來蝕刻所述模板層、所述共形介電層和所述第一介電層以形成第二開口；

去除所述圖案化的光刻膠；

利用所述模板層而不是所述圖案化的光刻膠作為鍍模板在所述第二開口中鍍導電柱，所述導電柱連接至所述導電焊盤；以及

去除所述模板層，

其中，所述導電柱貫穿所述共形介電層的底部和位于所述共形介電層的底部之下的所述第一介電層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，使用正硅酸乙酯(TEOS)作為前體形成所述模板層。

9.根據權利要求7所述的方法，還包括：

使所述導電柱的頂面與封裝件組件中的導電部件的表面接觸，而所述共形介電層與所述封裝件組件間隔開；以及

在所述接觸之后，將所述導電柱與所述封裝件組件分離。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，在去除所述模板層之后，再次暴露出所述第一開口的部分，并且所述導電柱的側壁暴露于所述第一開口。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，所述導電柱包括：

接觸所述導電焊盤的所述頂面的第一金屬材料；以及

位于所述第一金屬材料上方且接觸所述第一金屬材料的第二金屬材料。