[發(fā)明專利]一種通過真空濺射技術(shù)制造的LED光源的制造方法

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• 申請日: 2016-08-08
• 公開（公告）號: CN107706280A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李俊東;柳歡;陳健平;劉云
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市斯邁得半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
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• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種通過真空濺射技術(shù)制造的LED光源的制造方法，屬于LED光源技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

LED自從問世以上，受到廣泛重視而得到迅速發(fā)展，是與它本身所具有的優(yōu)點分不開的。這些優(yōu)點概括起來是：亮度高、工作電壓低、功耗小、小型化、壽命長、耐沖擊和性能穩(wěn)定。LED的發(fā)展前景極為廣闊，目前正朝著更高亮度、更高耐氣候性、更高的發(fā)光密度、更高的發(fā)光均勻性方向發(fā)展。但實際在生產(chǎn)使用LED產(chǎn)品的過程中，經(jīng)常會遭遇“產(chǎn)品硫化(包含硫化、鹵化、氧化等污染現(xiàn)象)導(dǎo)致產(chǎn)品失效”等問題，這些問題給客戶和生產(chǎn)廠家都帶來一定損失，出現(xiàn)硫化反應(yīng)后，產(chǎn)品功能區(qū)會黑化，光通量會逐漸下降，色溫出現(xiàn)明顯漂移。其原理是：因為貼片LED的支架是在金屬基材上鍍銀（銀層會起到發(fā)亮，反射光的作用）， LED在高溫焊接時，碰到了硫或硫蒸氣，則會造成支架上的銀層與硫發(fā)生化學(xué)反應(yīng)Ag+S＝AgS↓，形成AgS ,視反應(yīng)量的多少，其顏色為黃色或黑色不等。最嚴(yán)重的銀層都反應(yīng)完，金絲斷裂，造成LED開路。

眾所周知，LED支架氣密性不佳，尤其是在高溫的時候，更容易造成器件污染失效，支架底部鍍銀層發(fā)黑，降低了器件的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述問題，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種通過真空濺射技術(shù)制造的LED光源的制造方法。

本發(fā)明的通過真空濺射技術(shù)制造的LED光源。它包含基材1、支架填充膠材a、LED支架2、熒光膠3、芯片4、金線5和避空裝置6, 基材1的上方通過基材填充膠材a與LED支架2固定連接，LED支架2上方中部設(shè)置有避空裝置6，所述的避空裝置6的上方安裝有芯片4, 芯片4上焊接有金線5, 芯片4和金線5的上方封裝有熒光膠3。

作為優(yōu)選，所述的LED支架2的底部為倒T型設(shè)計。

作為優(yōu)選，所述的基材1上表面通過真空濺射技術(shù)沉積銅或銀或錫或鎳或鋅等材料。

進(jìn)一步優(yōu)選，所述的基材1上表面通過真空濺射技術(shù)從下至上依次沉積三氧化二鋁層、二氧化鈦和銀混合層、三氧化二鋁層、二氧化鈦層。

本發(fā)明的有益效果：基材主體選取鋁材，通過真空濺射技術(shù)，在特定基材上部沉積銅或銀或錫或鎳或鋅等材料，形成容易焊接界面，做成LED封裝支架鋁材，該工藝保護(hù)材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光澤度。通過控制表面氧化鈦，氧化鈦及銀層厚度，可實現(xiàn)在特制LED支架基板表面打線，正反面焊接功能，且特制LED支架成型加工工藝多樣。

附圖說明：

為了易于說明，本發(fā)明由下述的具體實施及附圖作以詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明中基材的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中LED支架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3的左視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明中LED半成品的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明具體實施方式一中基材的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明具體實施方式二中基材的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明具體實施方式三中基材的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明具體實施方式四中基材的具體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式：

具體實施方式一：如圖1-6所示，本具體實施方式采用以下技術(shù)方案：它包含基材1、支架填充膠材a、LED支架2、熒光膠3、芯片4、金線5和避空裝置6, 基材1的上方通過基材填充膠材a與LED支架2固定連接，LED支架2上方中部設(shè)置有避空裝置6，所述的避空裝置6的上方安裝有芯片4, 芯片4上焊接有金線5, 芯片4和金線5的上方封裝有熒光膠3。

作為優(yōu)選，所述的LED支架2的底部為倒T型設(shè)計。

作為優(yōu)選，所述的基材1上表面通過真空濺射技術(shù)沉積銅或銀或錫或鎳或鋅等材料。

進(jìn)一步優(yōu)選，所述的基材1上表面通過真空濺射技術(shù)從下至上依次沉積三氧化二鋁層、二氧化鈦和銀混合層、三氧化二鋁層、二氧化鈦層。

本具體實施方式的制備過程為：基材1工藝處理：所述的基材1上表面通過真空濺射技術(shù)沉積銅或銀或錫或鎳或鋅等材料；步驟二：LED支架制作：用熱固或熱塑成型方式填充相應(yīng)結(jié)構(gòu)LED支架2，且LED支架2中部設(shè)置有避空裝置6，步驟三：led封裝工藝：在LED支架2上通過進(jìn)行點膠，安裝芯片4，焊金線5等工藝制成成型的LED半成品；步驟四：通過調(diào)配熒光膠比例，將熒光膠層3灌封在LED半成品上，并且進(jìn)行烘烤固化成型做成所需的LED光源燈珠。