[發明專利]黑硅的制備方法有效
| 申請號： | 201610640897.3 | 申請日： | 2016-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN106057981B | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發明（設計）人： | 馬金金;梁杭偉;李家蘭;肖川;葉雄新;彭華 | 申請（專利權）人： | 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 徐春祺 |
| 地址： | 523141 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 黑硅 硅片表面 制備 致密 清洗 二氧化硅層 氧化處理 熱氧 表面缺陷 復合結構 開路電壓 擴散處理 酸制絨 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
