[發明專利]LED芯片的制備方法

在審

• 申請號: 201610640140.4
• 申請日: 2016-08-05
• 公開（公告）號: CN107689404A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 張杰;彭遙
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙)11447
• 代理人: 王曉霞,南毅寧

1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底(1)的上方生成保護層(6)，形成保護結構；

在所述保護結構上進行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽結構，所述凹槽(4)穿透所述保護層(6)并延伸到所述襯底(1)的內部；

將所述第一凹槽結構在保護層洗滌溶液中進行保護層洗滌，以去除所述保護層(6)，形成第二凹槽結構；

在所述第二凹槽結構的上方形成外延層(2)；

在所述外延層(2)上設置正電極(11)和負電極(3)，生成芯片結構；

將所述芯片結構沿著所述凹槽(4)進行崩裂，生成多個LED芯片。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，生成所述保護層(6)的材料包括以下中的任意一者：二氧化硅、氮化硅、金、以及鈦。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述凹槽(4)的深度為20-40微米，寬度為6-15微米。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述凹槽(4)在相互垂直的兩個方向上延伸。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護層洗滌溶液為含有氟化氫和氟化銨的水溶液。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述保護結構上進行切割生成凹槽(4)，形成第一凹槽結構的步驟之后，所述方法還包括：

將所述第一凹槽結構在副產物洗滌溶液中進行副產物洗滌，以去除切割生成的副產物(5)。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述副產物洗滌的溫度為200-300℃，時間為5-20分鐘。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述副產物洗滌溶液為酸溶液或堿溶液，所述酸溶液包括15-40％質量的硫酸、40-70％質量的磷酸和5-20％質量的水，所述堿溶液包括30-50％質量的氫氧化鈉或氫氧化鉀。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述外延層(2)包括緩沖層(7)、N型氮化鎵層(8)、發光層(9)、以及P型氮化鎵層(10)，所述在所述第二凹槽結構的上方形成外延層(2)的步驟包括：

在所述第二凹槽結構的上方生成所述緩沖層(7)；

在所述緩沖層(7)的上方生成所述N型氮化鎵層(8)；

在所述N型氮化鎵層(8)的上方生成所述發光層(9)；

在所述發光層(9)的上方生成所述P型氮化鎵層(10)。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在所述外延層(2)上設置正電極(11)和負電極(3)，生成所述芯片結構的步驟包括：

在所述P型氮化鎵層(10)的表面制作所述正電極(11)；

在所述N型氮化鎵層(8)的表面制作所述負電極(3)。