[發(fā)明專利]包括貫通式模具連接器的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610638430.5
• 申請(qǐng)日: 2016-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN106952879B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鐘薰;成基俊;劉榮槿;崔亨碩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/528;H01L25/07;H01L21/60
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括以下步驟：

在第一互連結(jié)構(gòu)層上設(shè)置第一半導(dǎo)體芯片和多個(gè)第一凸塊；

形成覆蓋所述第一凸塊和所述第一半導(dǎo)體芯片的第一模具層；

選擇性地去除所述第一模具層的一些部分，以暴露出所述第一凸塊的頂部，

其中，去除所述第一模具層的一些部分的步驟包括以下步驟：選擇性地研磨所述第一模具層的覆蓋所述第一凸塊的區(qū)域并且留出所述第一模具層的覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片的保留區(qū)域，以在所述第一模具層處形成階梯形狀；

設(shè)置連接至通過所述第一模具層的階梯形狀暴露出的第一凸塊的第二凸塊；

形成覆蓋所述第二凸塊的第二模具層；

通過使所述第二模具層凹進(jìn)來暴露出所述第二凸塊的頂部；以及

層疊電連接至所述第二凸塊的第二半導(dǎo)體芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，研磨的步驟被執(zhí)行以將所述第一凸塊的頂部去除預(yù)定厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二凸塊被層疊在所述第一凸塊上以與所述第一凸塊交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述第二模具層凹進(jìn)的步驟被執(zhí)行來去除預(yù)定厚度的所述第二模具層，以暴露出所述第二凸塊的頂部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使所述第二模具層凹進(jìn)的步驟包括研磨所述第二模具層的整個(gè)區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，層疊所述第二半導(dǎo)體芯片的步驟包括以下步驟：

在第二互連結(jié)構(gòu)層上設(shè)置所述第二半導(dǎo)體芯片；

形成覆蓋所述第二半導(dǎo)體芯片的第三模具層；以及

將所述第二凸塊電連接至所述第二互連結(jié)構(gòu)層。

7.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括以下步驟：

形成掩埋位于第一互連結(jié)構(gòu)層上的第一半導(dǎo)體芯片和多個(gè)第一凸塊的第一模具層；

通過選擇性地去除所述第一模具層的一些部分來形成暴露出所述第一凸塊的頂部的多個(gè)溝槽；

形成填充所述溝槽的介電層；

通過選擇性地去除所述介電層的一些部分來形成暴露出所述第一凸塊的頂部的開孔；

通過填充所述開孔來形成連接至所述第一凸塊的導(dǎo)電通孔；以及

層疊電連接至所述導(dǎo)電通孔的第二半導(dǎo)體芯片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述介電層的步驟包括以下步驟：形成包括光敏材料的層以填充所述溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述溝槽的步驟包括以下步驟：通過鋸切所述第一模具層的覆蓋所述第一凸塊的一些部分的區(qū)域來進(jìn)行去除。

10.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，該方法包括以下步驟：

形成第一模具層以覆蓋第一半導(dǎo)體芯片和多個(gè)第一凸塊，所述多個(gè)第一凸塊在橫向方向上與所述第一半導(dǎo)體芯片間隔開；

選擇性地去除所述第一模具層的一些部分，以暴露出所述第一凸塊的頂部，

其中，去除所述第一模具層的一些部分的步驟包括以下步驟：選擇性地研磨所述第一模具層的覆蓋所述第一凸塊的區(qū)域并且留出所述第一模具層的覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片的保留區(qū)域，以在所述第一模具層處形成階梯形狀；

設(shè)置連接至通過所述第一模具層的階梯形狀暴露出的第一凸塊的第二凸塊；

形成第二模具層以覆蓋所述第二凸塊；以及

通過使所述第二模具層凹進(jìn)并且通過暴露出所述第二凸塊的頂部來形成貫通式模具連接器，所述貫通式模具連接器包括設(shè)置在所述第一凸塊上的所述第二凸塊，并且所述貫通式模具連接器基本上穿透所述第一模具層和所述第二模具層。