[發明專利]一種Sm-Co基永磁薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201610638117.1
• 申請日: 2016-08-04
• 公開（公告）號: CN106252022B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 吳小平;王順利;史建君;李小云;金立;楊歐
• 申請（專利權）人: 浙江理工大學
• 主分類號: H01F10/16
• 分類號: H01F10/16;H01F10/30;H01F41/18
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種Sm-Co基永磁薄膜，包括基體和位于基體表面的Sm-Co薄膜層，其特征是：所述的基體與Sm-Co薄膜層之間設置緩沖層，所述的緩沖層是四層結構，一層是位于基體表面的Cu薄膜層，在Cu薄膜層表面的是W-Cu薄膜，位于W-Cu薄膜層表面的Ni-W薄膜層，位于Ni-W薄膜層表面的Ni薄膜層；所述的Cu薄膜層厚度為5nm-20nm；所述的W-Cu薄膜層厚度為50nm-200nm；所述的Ni-W薄膜層厚度為25nm-100nm；所述的Ni薄膜層厚度為10nm-50nm；所述W-Cu層中W∶Cu摩爾比例為1∶0.5-2；所述Ni-W層中Ni∶W摩爾比例為1∶1-4。

2.根據權利要求1所述的Sm-Co基永磁薄膜，其特征在于，所述的Sm-Co薄膜厚度為0.5μm-100μm。

3.根據權利要求1所述的Sm-Co基永磁薄膜，其特征在于，所述的基體為MgO或Si基片。

4.根據權利要求1或2或3所述的Sm-Co基永磁薄膜，其特征在于，還包括設置在Sm-Co薄膜層表面的抗氧化保護膜，所述抗氧化保護膜為Cr或W或AlN層，所述抗氧化保護膜的厚度為4-10nm。

5.一種制備權利要求1至3中任一權利要求所述的Sm-Co基永磁薄膜的方法，其特征是，包括如下步驟：

步驟1：準備基體；

步驟2：采用磁控濺射技術，以Cu靶為緩沖層靶材，得到Cu薄膜層；然后開啟W靶為緩沖層靶材，得到W-Cu薄膜層；

步驟3：當得到W-Cu薄膜層后，關閉Cu靶；繼續開啟W靶，開啟Ni靶，得到Ni-W薄膜層；然后關閉W靶，繼續開啟Ni靶，得到Ni薄膜層，關閉Ni靶；

步驟4：開啟Sm(Co，Cu，Fe，Zr)x復合靶，得到Sm-Co薄膜層；

步驟5：將步驟4處理后的Sm-Co基永磁薄膜進行熱處理。

6.根據權利要求5中所述的Sm-Co基永磁薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟4，還包括在Sm-Co薄膜層表面濺射一層4-10nm的抗氧化保護膜，所述抗氧化保護膜為Cr或W或

AlN層，為了保護Sm-Co薄膜層被氧化。

7.根據權利要求5或6所述的Sm-Co基永磁薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1的基體為MgO或Si(100)基片；所述步驟2的W∶Cu摩爾比例為1∶0.5-2；所述步驟3的Ni∶W摩爾比例為1∶1-4。