[發明專利]在圖形化氮化鎵單晶襯底上制備氮化鎵發光二極管的方法有效
| 申請號： | 201610631795.5 | 申請日： | 2016-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN106067492B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 賈傳宇 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 羅曉林 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市企*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜圖形 制備 氮化鎵單晶 圓型孔 襯底 氮化鎵基發光二極管 氮化鎵發光二極管 圖形化 側向外延生長 氮化鎵外延層 周期性結構 襯底清洗 垂直生長 二次生長 散熱性好 圖形周期 外延層 放入 沉積 接續 生長 | ||
【說明書】：
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