[發(fā)明專利]一種雙腔型MEMS原子氣室的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610630740.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106219481B | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 翟浩;陳大勇;廉吉慶;馮浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | B81C1/00 | 分類號(hào): | B81C1/00;B81C3/00;G04F5/14 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心11120 | 代理人: | 李微微,仇蕾安 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙腔型 mems 原子 制備 方法 | ||
1.一種雙腔型MEMS原子氣室的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、對(duì)硅片(1)進(jìn)行清洗;
步驟2、基于干法刻蝕工藝在所述硅片(1)上刻蝕多個(gè)雙腔型MEMS原子氣室(2),并形成雙腔型MEMS原子氣室陣列;其中,所述雙腔型MEMS原子氣室(2)包括兩個(gè)圓形氣室腔和連接兩個(gè)圓形氣室腔的通道;
步驟3、基于陽(yáng)極鍵合工藝將所述硅片(1)的兩個(gè)側(cè)面分別與玻璃(3)進(jìn)行鍵合,形成結(jié)構(gòu)為玻璃-硅片-玻璃的三明治結(jié)構(gòu);
步驟4、將雙腔型MEMS原子氣室陣列切割成單個(gè)的雙腔型MEMS原子氣室(2);
步驟5、在各個(gè)雙腔型MEMS原子氣室(2)的其中一個(gè)氣室腔的玻璃(3)面上進(jìn)行開孔處理,開孔直徑小于2mm;
步驟6、基于玻璃的熱加工制備直徑小于3mm的玻璃導(dǎo)管(4);
步驟7、基于玻璃的焊接工藝將玻璃導(dǎo)管(4)與所述步驟5的開孔進(jìn)行焊接,使玻璃導(dǎo)管(4)與雙腔型MEMS原子氣室(2)的氣室腔相通;
步驟8、通過(guò)玻璃導(dǎo)管(4)對(duì)氣室腔充制堿金屬,完成后去掉玻璃導(dǎo)管(4),并對(duì)氣室腔進(jìn)行密封處理,完成制備。
2.如權(quán)利要求1所述的一種雙腔型MEMS原子氣室的制備方法,其特征在于,對(duì)切割后的單個(gè)雙腔型MEMS原子氣室(2)端面進(jìn)行打磨和涂抹玻璃膠處理。
3.如權(quán)利要求1所述的一種雙腔型MEMS原子氣室的制備方法,其特征在于,所述硅片(1)為圓形,直徑為4英寸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘭州空間技術(shù)物理研究所,未經(jīng)蘭州空間技術(shù)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610630740.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





