[發(fā)明專利]圖案化光阻的形成方法及其結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610630737.0
• 申請日: 2016-08-03
• 公開（公告）號: CN107689321B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設計）人: 陳林;茹捷
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種圖案化光阻的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底表面涂覆第一光阻層；

對所述第一光阻層進行第一次曝光，在所述第一光阻層中形成第一子圖案區(qū)域以及第一待去除區(qū)域；

在所述第一子圖案區(qū)域上形成一金屬氧化物薄膜；

涂覆第二光阻層，所述第二光阻層覆蓋所述金屬氧化物薄膜和第一光阻層；以及

對所述第二光阻層進行第二次曝光，在所述金屬氧化物薄膜上的第二光阻層中形成第二子圖案區(qū)域，在所述第一待去除區(qū)域上的第二光阻層中形成第二待去除區(qū)域；

其中，所述金屬氧化物薄膜為一氧化銀薄膜；

形成一金屬氧化物薄膜的步驟包括：將經(jīng)過第一次曝光后的所述第一光阻層放入含氫氧根離子的溶液中浸泡；將經(jīng)過第一次曝光后的所述第一光阻層放入含銀離子的溶液中浸泡；對經(jīng)過兩次浸泡后的所述第一光阻層進行一光催化過程，在所述第一子圖案區(qū)域上形成所述氧化銀薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻層和第二光阻層的材料均為負性光阻劑。

3.如權(quán)利要求2所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻層和第二光阻層的材料均為聚酰亞胺。

4.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一子圖案區(qū)域和第二子圖案區(qū)域的截面形狀相同。

5.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述含銀離子的溶液為硝酸銀溶液。

6.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述含氫氧根離子的溶液為氫氧化鉀溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，在所述光催化過程中，用紫外光進行曝光。

8.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，在形成所述氧化銀薄膜的步驟和涂覆第二光阻層的步驟之間，還包括：去除多余的銀離子。

9.如權(quán)利要求8所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，采用硫酸溶液清洗所述第一光阻層，以去除多余的所述銀離子。

10.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括在完成所述第二次曝光之后，對所述第一光阻層和第二光阻層同時進行顯影，去除所述第一待去除區(qū)域和第二待去除區(qū)域。

11.如權(quán)利要求10所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括在所述顯影完成后，對所述第一子圖案區(qū)域、金屬氧化物薄膜和第二子圖案區(qū)域進行加熱固化處理。

12.如權(quán)利要求11所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述加熱固化處理的溫度范圍為100攝氏度～500攝氏度。

13.如權(quán)利要求1所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻層和第二光阻層的總厚度范圍為10um-100um。

14.如權(quán)利要求13所述的圖案化光阻的形成方法，其特征在于，所述第一光阻層的厚度和第二光阻層的厚度相同。

15.一種采用權(quán)利要求1-14任一所述的方法形成的圖案化光阻的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括一基底上至少兩層依次重疊的子圖案區(qū)域，且上下相鄰的子圖案區(qū)域間均有一金屬氧化物薄膜。