[發明專利]金線蓮煉苗種植方法

在審

• 申請號: 201610628584.6
• 申請日: 2016-08-03
• 公開（公告）號: CN107046965A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 張力文
• 申請（專利權）人: 太倉沐林中草藥專業合作社
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00;A01G9/10
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙)32260
• 代理人: 王利斌

1.一種金線蓮煉苗種植方法，包括如下步驟：

步驟一，栽培設施建設，煉苗室采用標準溫室大棚，四面遮蓋透明薄膜，溫室大棚頂搭配兩層遮陽網，兩邊墻面搭建水簾墻，兩側墻面開門；

步驟二，常規煉苗，常態化煉苗之后，移出煉苗室，置于常溫下涼棚后繼續煉苗一個月，掀開瓶蓋再持續煉苗3-5天，促幼苗木質化，適應種植溫室大棚溫濕度；

步驟三，搭配基質，采用紅壤土：泥炭土：河沙：其它按1：3：1：1混合，基質土攪拌均勻后鋪開，用3000倍的高錳酸鉀溶液澆灌，澆透基質土一定時間，讓消毒液滲入基質土，然后連續攪拌均勻后薄膜覆蓋24小時；

步驟四，基質拌勻內生菌，采用每袋200克裝、每克1億活菌的山東泰諾-康吉木霉菌和每袋60克裝、每克10億活菌枯草芽孢桿菌的培根，按木霉菌6袋和枯草芽孢桿菌2袋拌料150公斤基質，調水到手捏可成團、落地松散為度，堆積15天后，裝入塑料盤中；

步驟五，取出幼苗；

步驟六，合理密植；

步驟七，適時補給肥水，查基質水分，捏成團直至放下松散；

步驟八、定期補給內生菌，每30天補給康吉木霉菌500倍液加枯草芽孢桿菌500倍液；

步驟九，植后放養捕食螨；

步驟十，控制好標準溫室大棚內溫濕度和光照強度，將溫度、濕度、光照強度分別控制在15-30℃、75％-90％、2000-3000勒克斯。

2.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：在步驟一，兩層遮陽網依次為第一層遮陽網、第二遮陽網，所述第一層遮陽網設置在溫室大棚的外部，第二層遮陽網設置在溫室大棚的內部，所述第一層遮陽網的遮陽率為70％，第二層遮陽網的遮陽率為30％。

3.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：在步驟一中，溫室大棚內放置多層鐵架，每層平面排放塑料盤為主要栽培工具。

4.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：在步驟三中，其它包括植被、花生殼中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：所述步驟五中取出幼苗的方法為先在洗苗盆注滿水，再把金線蓮瓶苗裝1/2-1/3的水，抖松瓶苗，使幼苗分散后，取出幼苗，洗凈培養基，瓶苗洗凈后放入0.15％的高錳酸鉀溶液中浸濕。

6.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：步驟六中的合理密植為選用42厘米X42厘米規格栽培筐，每筐種植120株金線蓮苗，或選用30厘米X50厘米規格的育苗盆進行種植。

7.根據權利要求6所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：種植時金線蓮幼苗根部入土1-1.5厘米，種植后用清水噴濕到葉尖滴水為宜，濕度小于等于80％。

8.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：步驟七中，肥水每隔5天用，肥水采用氮磷鉀比例25：10：20、生長寶1000倍液加天然0.04％蕓薹素6000倍液噴灑，以及1:2000牛奶稀釋液補充微量營養要素促苗生長。

9.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：步驟九植后30天應及時放養捕食螨。

10.根據權利要求1所述的金線蓮煉苗種植方法，其特征在于：步驟十中，冬季要蓋膜保溫，夏季棚內水簾和抽風機降溫，每日觀察室溫變化，室溫控制在16-28℃為宜，濕度控制在80％-85％。