[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610628271.0
• 申請(qǐng)日: 2016-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107665918A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料；

漂移層，位于襯底層之上和溝槽之間，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列而成；

多個(gè)溝槽，位于襯底層之上，溝槽通過(guò)隔離絕緣材料，在溝槽上下方向上設(shè)置多個(gè)部分，溝槽上下方向上多個(gè)部分內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電材料，導(dǎo)電材料包括為金屬或摻雜多晶半導(dǎo)體材料，導(dǎo)電材料與溝槽內(nèi)壁之間設(shè)置有絕緣層，溝槽內(nèi)壁絕緣層設(shè)置缺口，溝槽內(nèi)壁絕緣層缺口位于溝槽的頂部、底部或側(cè)壁，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電材料與襯底層、漂移層或表面電極材料接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的隔離絕緣材料和溝槽內(nèi)壁絕緣層材料為同種絕緣材料，包括為氧化硅、氮化硅或氧化鋁。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁絕緣層設(shè)置的缺口包括位于溝槽側(cè)壁內(nèi)的上部、中部或下部。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁絕緣層設(shè)置的缺口位于溝槽底部，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電材料與襯底層接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁絕緣層設(shè)置的缺口位于溝槽頂部，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電材料與表面電極材料接觸。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽內(nèi)壁絕緣層的側(cè)壁絕緣層設(shè)置不同厚度，在遠(yuǎn)離缺口方向上由薄變厚。

7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料；

漂移層，位于襯底層之上和溝槽之間，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列而成；

多個(gè)溝槽，位于襯底層之上，溝槽通過(guò)隔離絕緣材料，在溝槽側(cè)壁上下方向上設(shè)置多個(gè)部分，溝槽側(cè)壁上下方向上多個(gè)部分的表面設(shè)置肖特基勢(shì)壘結(jié)。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述漂移層包括為單個(gè)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與單個(gè)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列而成、兩個(gè)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與單個(gè)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列而成、或者單個(gè)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與兩個(gè)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列而成。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的溝槽上下方向上設(shè)置多個(gè)部分的最上部分或最下部分側(cè)壁設(shè)置有絕緣層。