[發明專利]成像裝置和電子設備有效
| 申請號: | 201610623971.0 | 申請日: | 2012-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN106098716B | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 荻田知治;山本篤志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 裝置 電子設備 | ||
本申請是申請日為2012年3月7日、發明名稱為“固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備”的申請號為201210058232.3專利申請的分案申請。
技術領域
本公開涉及固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備。
背景技術
電荷耦合裝置(CCD)固態成像裝置和互補金屬氧化物半導體(CMOS)固態成像裝置廣泛地應用于數字照相機和攝像機。就光入射在光接收單元上的方向而言,這些固態成像裝置大致分類成兩類。
其中一類包括接收在形成配線層的半導體基板的前側入射的光的固態成像裝置。另一類包括所謂的后照明型固態成像裝置,其接收在半導體基板沒有形成配線層的后側入射的光。
這些固態成像裝置具有遮光膜,用于阻擋像素之間的光以改善靈敏度且防止顏色混合。現在需要固態成像裝置進一步改善圖像質量和靈敏度,并且進一步抑制顏色混合。此外,小型化將降低層之間特別是遮光膜、濾色器和微型透鏡之間的重疊精度,這嚴重影響顏色混合。
為了減小固態成像裝置的高度并且改善遮光膜和濾色器的重疊精度,例如,在日本特開第2010-85755號公報的固態成像裝置中,用于減少與相鄰像素顏色混合的遮光膜與濾色器形成在相同的層上。
發明內容
然而,日本特開第2010-85755號公報公開的技術中存在這樣的問題,因為濾色器形成在遮光膜和半導體基板上,所以濾色器與半導體基板容易分離。
所希望的是提供能抑制濾色器分離的固態成像裝置及固態成像裝置的制造方法。
還希望提供具有這樣固態成像裝置的電子設備。
根據本公開的實施例的固態成像裝置包括:像素,每個所述像素都具有用于將入射光轉換為電信號的光電轉換元件;濾色器,與像素相對應,并且具有多個濾色器部件;微型透鏡,用于將入射光通過濾色器會聚到光電轉換元件上;遮光膜,設置在濾色器的濾色器部件之間;以及非平坦的粘合劑膜,設置在濾色器和遮光膜之間。
在根據本公開的實施例的固態成像裝置中,通過濾色器和遮光膜之間設置的非平坦的粘合劑膜可抑制濾色器的分離。
根據本公開的實施例的固態成像裝置的制造方法包括:形成像素,每個所述像素都具有用于將入射光轉換為電信號的光電轉換元件;形成遮光膜,該遮光膜設置在濾色器的多個濾色器部件之間;在遮光膜上沉積平坦的粘合劑膜;在遮光膜之間的粘合劑膜上形成濾色器;以及在濾色器上形成微型透鏡,該微型透鏡用于將入射光通過濾色器會聚到光電轉換元件上。
根據本公開的實施例的電子設備包括上述的固態成像裝置、光學透鏡以及信號處理電路。
根據本技術的實施例,可抑制濾色器的分離。
附圖說明
圖1示出了根據第一實施例的固態成像裝置;
圖2是根據第一實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖3A至3F示出了根據第一實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖4是根據第二實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖5A和5B示出了根據第二實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖6是根據第三實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖7A至7D示出了根據第三實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖8是根據第四實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖9A至9D示出了根據第四實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖10是根據第五實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖11A和11B示出了根據第五實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖12是根據第六實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖13A至13C示出了根據第六實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖14是根據第七實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖15A和15B示出了根據第七實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖16是根據第八實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖17A和17B示出了根據第八實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖18是根據第九實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖19A至19D示出了根據第九實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖20是根據第十實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖21A至21D示出了根據第十實施例的固態成像裝置的制造步驟;
圖22A和22B是根據第十一實施例的固態成像裝置的截面圖;
圖23A至23C示出了根據第十一實施例的遮光膜;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





