[發明專利]一種正面電極側繞背接觸P型晶硅太陽電池的制造方法

有效

• 申請號: 201610622271.X
• 申請日: 2016-07-31
• 公開（公告）號: CN106057925B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 田莉
• 申請（專利權）人: 湖南工程學院
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 湘潭市匯智專利事務所(普通合伙)43108
• 代理人: 冷玉萍

1.一種正面電極側繞背接觸P型晶硅太陽電池的制造方法，包括P型硅片側面銀電極的制備，其特征在于，具體包括如下步驟：

(1)化學清洗制絨：采用氫氧化鈉溶液或者氫氧化鉀溶液，去掉P型硅片表面線切割損傷層，反應形成絨面，將P型硅片表面的反射率降低至9～11％；

(2)液態磷源擴散：采用液態磷源，三氯氧磷與氧氣在高溫擴散爐內反應，在P型硅片表面進行擴散，形成N型擴散層，從而形成PN結；

(3)二次清洗：采用氫氟酸溶液去掉硅片表面擴散時產生的磷硅玻璃；

(4)沉積氮化硅減反射膜：采用PECVD法在硅片正面沉積一層氮化硅薄膜，將硅片的表面反射率由制絨后的9～11％降至3～5％；

(5)絲網印刷正面銀細柵線電極，烘干；

(6)絲網印刷背面銀細柵線和背面銀主柵線電極，烘干，背面銀細柵線電極和背面銀主柵線電極均印刷在擴散層上；

(7)絲網印刷背面鋁背場和背面銀鋁主柵線電極，烘干；

(8)制備側面銀電極：側面銀電極是在與正面銀細柵線方向垂直的兩個側面上全覆蓋銀電極，要求正面銀細柵線和背面銀細柵線均與側面銀電極相接；

(9)燒結形成鋁硅合金層和歐姆接觸；

(10)激光刻蝕。

2.根據權利要求1所述的正面電極側繞背接觸P型晶硅太陽電池的制造方法，其特征在于，清洗制絨后的硅片進行磷源氣態擴散，擴散時背面加擋片，減少鋁背場位置擴散進磷原子增加了太陽電池背表面復合；且背面兩邊未遮擋部分的擴散層在背面銀細柵線電極和背面銀主柵線電極位置；擴散夾具需保證兩個相對的側面銀電極面在擴散時無遮擋；硅片正面、側面銀電極面和背面未遮擋部分均為擴散面，形成PN結。

3.根據權利要求1所述的正面電極側繞背接觸P型晶硅太陽電池的制造方法，其特征在于，正面印刷銀細柵線，且正面銀細柵線延伸至硅片邊緣，進行烘干；然后印刷背面銀細柵線和銀主柵線，烘干；再印刷背面鋁背場和銀鋁主柵線，烘干；再在兩個側面采用涂銀漿法或者電子束蒸鍍方法全覆蓋銀電極，側面銀電極與正面銀細柵線和背面銀細柵線相接，側面銀電極采用幾百片擴散片整齊地疊在一起同時制作，然后進行燒結。

4.根據權利要求1所述的正面電極側繞背接觸P型晶硅太陽電池的制造方法，其特征在于，太陽電池的激光刻蝕工序放在最后一道，激光刻蝕切斷擴散層，隔離背面銀電極和背面鋁電極。