[發明專利]介電組合物及包含該介電組合物的多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201610620295.1
• 申請日: 2016-08-01
• 公開（公告）號: CN106920692B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 樸宰成;金珍成;金斗永;金昶勛
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/10;C01G23/04;C01F11/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;馬翠平

1.一種介電組合物，所述介電組合物包含作為主要成分的Ba和Ti的氧化物，

其中，所述主要成分由(Ba_1-xNa_x)TiO₃表示，其中0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-xNa_x)/Ti<1.003。

2.根據權利要求1所述的介電組合物，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第一輔助成分，其中，所述第一輔助成分為Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

3.根據權利要求2所述的介電組合物，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第二輔助成分，其中，所述第二輔助成分為Mg和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

4.根據權利要求3所述的介電組合物，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第三輔助成分，其中，所述第三輔助成分為Ce、Nb、La和Sb中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

5.根據權利要求4所述的介電組合物，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第四輔助成分，其中，所述第四輔助成分為Si、Ba、Ca和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

6.根據權利要求4所述的介電組合物，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第四輔助成分，其中，所述第四輔助成分為包含Si的玻璃復合物。

7.一種多層陶瓷電容器，所述多層陶瓷電容器包括陶瓷主體，介電層和內電極交替地堆疊在所述陶瓷主體中，

其中，所述介電層包含含有作為主要成分的Ba和Ti的氧化物的介電組合物，

所述主要成分由(Ba_1-xNa_x)TiO₃表示，其中，0.005≤x≤0.035，0.994<(Ba_1-xNa_x)/Ti<1.003。

8.根據權利要求7所述的多層陶瓷電容器，其中，所述內電極包含鎳(Ni)。

9.根據權利要求7所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第一輔助成分，其中，所述第一輔助成分為Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第二輔助成分，其中，所述第二輔助成分為Mg和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

11.根據權利要求10所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第三輔助成分，其中，所述第三輔助成分為Ce、Nb、La和Sb中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

12.根據權利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第四輔助成分，其中，所述第四輔助成分為Si、Ba、Ca和Al中的至少一種的氧化物或碳酸鹽。

13.根據權利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電組合物基于100mol％的主要成分還包括0.1mol％至1.0mol％的第四輔助成分，其中，所述第四輔助成分為包含Si的玻璃復合物。