[發明專利]半導體測試單元及半導體測試結構有效
| 申請號： | 201610620291.3 | 申請日： | 2016-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN107680954B | 公開（公告）日： | 2019-12-10 |
| 發明（設計）人： | 費春潮;江博淵 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31219 上海光華專利事務所(普通合伙) | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬層 焊墊 半導體測試 倒角 半導體測試結構 頂層金屬層 起始點位置 溝道工藝 芯片保護 芯片邊緣 依次層疊 中心偏移 切割道 微裂紋 微損傷 分層 激光 芯片 概率 | ||
1.一種半導體測試單元，其特征在于，所述半導體測試單元包括依次層疊的金屬層及位于頂層金屬層上方的焊墊，所述焊墊的尺寸等于所述金屬層的尺寸，其中，所述金屬層及所述焊墊均設有倒角，所述倒角用于在激光溝道工藝中將產生的微損傷或微裂紋的起始點位置向切割道中心偏移。
2.根據權利要求1所述的半導體測試單元，其特征在于：所述倒角為45°倒角。
3.根據權利要求1所述的半導體測試單元，其特征在于：所述焊墊上倒角斜邊的投影與所述金屬層上倒角斜邊的投影相重合。
4.根據權利要求1所述的半導體測試單元，其特征在于：所述倒角位于所述金屬層及所述焊墊的四個頂角處。
5.根據權利要求1所述的半導體測試單元，其特征在于：所述倒角位于所述金屬層及所述焊墊同一側的兩個頂角處。
6.一種半導體測試結構，位于芯片外圍的切割道內，其特征在于，所述半導體測試結構包括多個第一半導體測試單元，所述第一半導體測試單元包括依次層疊的金屬層及位于頂層金屬層上方的焊墊，所述焊墊的尺寸等于所述金屬層的尺寸，其中，所述金屬層及所述焊墊均設有倒角，所述倒角用于在激光溝道工藝中將產生的微損傷或微裂紋的起始點位置向切割道中心偏移。
7.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于：所述倒角為45°倒角。
8.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于：所述焊墊上倒角斜邊的投影與所述金屬層上倒角斜邊的投影相重合。
9.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于：所述第一半導體測試單元在所述切割道內呈單行、雙行或多行分布，所述倒角位于所述金屬層及所述焊墊的四個頂角處。
10.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于：所述第一半導體測試單元在所述切割道內呈雙行分布，所述倒角位于所述金屬層及所述焊墊靠近所述芯片一側的兩個頂角處。
11.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于：
所述半導體測試結構還包括第二半導體測試單元，所述第二半導體測試單元位于所述切割道中部，在所述切割道中部呈單行、雙行或多行分布，所述第二半導體測試單元包括多層依次層疊的金屬層及位于頂層金屬層上方的焊墊；
所述第一半導體測試單元在所述切割道內呈雙行分布，且位于所述第二半導體測試單元的外側，所述倒角位于所述金屬層及所述焊墊靠近所述芯片一側的兩個頂角處。
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