[發明專利]蝕刻液和使用其的蝕刻方法和使用該蝕刻方法得到的基板

有效

• 申請號: 201610619512.5
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN106400017B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 山田洋三;本望圭纮;后藤敏之
• 申請（專利權）人: 三菱瓦斯化學株式會社
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種蝕刻液，其為用于蝕刻層疊于基板上的多層薄膜的蝕刻液，所述基板使用選自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1種以上，所述多層薄膜包含以銅為主要成分的銅層和以鈦為主要成分的鈦層，

所述蝕刻液為包含如下成分的水溶液且pH值為1.5～2.5：

(A)過氧化氫的濃度為4.5～7.5質量％；

(B)硝酸的濃度為0.8～6質量％；

(C)氟化合物的濃度為0.2～0.5質量％；

(D)唑類的濃度為0.14～0.3質量％；

(E)胺化合物的濃度為0.4～10質量％，所述胺化合物為選自具有1個以上任選被甲氧基所取代的直鏈狀或支鏈狀的碳數2～5的烷基的烷胺(E1)、具有1個或2個直鏈狀或支鏈狀的碳數2～5的羥基烷基、且任意具有1個或2個直鏈狀或支鏈狀的碳數2～5的烷基的鏈烷醇胺(E2)、具有直鏈狀或支鏈狀的碳數2～5的亞烷基的二胺(E3)、和環己胺(E4)中的1種以上；和

(F)過氧化氫穩定劑的濃度為0.005～0.1質量％，

其中，在該蝕刻液中添加銅4000ppm和鈦360ppm、且于50℃保存2小時時的該蝕刻液中的過氧化氫的穩定性為0.075％/小時以下。

2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，(C)氟化合物為選自氫氟酸、氟化銨和酸式氟化銨中的1種以上。

3.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，(D)唑類為5-氨基-1H-四唑。

4.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，(E)胺化合物為選自異丙醇胺、3-氨基-1-丙醇、N-丁基乙醇胺、N,N-二甲基氨基-2-丙醇、2-甲氧基乙胺、環己胺、正丁胺、二丁胺、叔丁胺、N-甲基-正丁胺、1,4-二氨基丁烷、2-氨基-1-丁醇、5-氨基-1-戊醇、3-甲氧基丙胺、2-二甲基氨基乙醇和2-氨基乙醇中的1種以上。

5.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，(F)過氧化氫穩定劑為選自苯基脲和苯酚磺酸中的1種以上。

6.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，頂部CD損耗為2.5μm以下，底部CD損耗為1.5μm以下和拖尾為0.4μm以下。

7.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，玻璃的腐蝕速度為60nm/分鐘以下。

8.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，二氧化硅和氮化硅的腐蝕速度為/分鐘以下。

9.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，包含以銅為主要成分的銅層和以鈦為主要成分的鈦層的多層薄膜的適當蝕刻時間為80秒～140秒。

10.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，層疊于使用選自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1種以上的基板上的多層薄膜是在以鈦為主要成分的鈦層上層疊以銅為主要成分的銅層而成的。

11.根據權利要求1或2所述的蝕刻液，其中，(E)胺化合物選自3-甲氧基丙胺、N-甲基-正丁胺、正丁胺、2-氨基-1-丁醇、環己胺、N-丁基乙醇胺、5-氨基-1-戊醇中的1種以上。

12.根據權利要求1或2所述的蝕刻液，其中，所述蝕刻液中的(E)胺化合物的含量為2～8質量％。

13.根據權利要求1或2所述的蝕刻液，其中，所述蝕刻液中的(D)唑類的含量為0.15～0.25質量％。

14.一種包含以銅為主要成分的銅層和以鈦為主要成分的鈦層的多層薄膜的蝕刻方法，其特征在于，使層疊于基板上的多層薄膜與權利要求1～13中任一項所述的蝕刻液接觸，所述基板使用選自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1種以上，所述多層薄膜包含以銅為主要成分的銅層和以鈦為主要成分的鈦層。