[發明專利]快恢復二極管制作方法及由該方法制作的快恢復二極管

有效

• 申請號: 201610618733.0
• 申請日: 2016-08-01
• 公開（公告）號: CN107680907B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 郭潤慶;陳芳林;顏驥;高建寧
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/868
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 趙洪

1.一種快恢復二極管制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S101)選取N型硅圓片；

S102)鋁預沉積：進行鋁預沉積，使所述硅圓片內形成淺結深的PNP型縱向結構；

S103)陰極面PN結去除：保護所述硅圓片的陽極面，去除所述硅圓片的陰極面的PN結，使所述硅圓片內形成PN型縱向結構；

S104)硼離子注入：在所述硅圓片的陽極面進行硼離子注入，使所述硅圓片內形成淺結深的P⁺PN型縱向結構；

S105)鋁、硼雜質深結擴散：在所述硅圓片的陽極面進行鋁、硼雜質深結擴散，使所述硅圓片內形成深結深的P⁺PN型縱向結構；

S106)N型雜質擴散：在所述硅圓片的陰極面進行磷雜質摻雜擴散，使所述硅圓片內形成P⁺PNN⁺型縱向結構；

S200)進行所述硅圓片的后處理工序；

所述硅圓片的后處理工序S200)包括以下步驟：

S201)鋁層蒸發及合金化：在所述硅圓片的表面蒸發鋁層，形成引出電極，并進行合金化處理，使鋁、硅之間形成歐姆接觸；

S202)尺寸切割：對所述硅圓片進行尺寸切割以形成芯片；

S203)陰極低溫鍵合：通過低溫鍵合工藝，將所述芯片的陰極面與鉬片鍵合到一起；

S204)結終端處理：對所述芯片的結終端進行臺面造型及保護處理；

S205)靜態參數測試：對所述芯片進行靜態參數測試；

S206)質子輻照：對靜態參數合格的芯片的陽極面施以質子輻照；

S207)電子輻照：對所述芯片施以電子輻照；

S208)封裝測試：對所述芯片進行測試、封裝及出廠測試。

2.一種快恢復二極管制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S101)選取N型硅圓片；

S102)鋁預沉積：進行鋁預沉積，使所述硅圓片內形成淺結深的PNP型縱向結構；

S103)陰極面PN結去除：保護所述硅圓片的陽極面，去除所述硅圓片的陰極面的PN結，使所述硅圓片內形成PN型縱向結構；

S104)硼離子注入：在所述硅圓片的陽極面進行硼離子注入，使所述硅圓片內形成淺結深的P⁺PN型縱向結構；

S105)鋁、硼雜質深結擴散：在所述硅圓片的陽極面進行鋁、硼雜質深結擴散，使所述硅圓片內形成深結深的P⁺PN型縱向結構；

S106)N型雜質擴散：在所述硅圓片的陰極面進行磷雜質摻雜擴散，使所述硅圓片內形成P⁺PNN⁺型縱向結構；

S200)進行所述硅圓片的后處理工序；

所述硅圓片的后處理工序S200)包括以下步驟：

S201)尺寸切割：對所述硅圓片進行尺寸切割；

S202)鋁層蒸發及合金化：在所述硅圓片的表面蒸發鋁層，形成引出電極，并進行合金化處理，使鋁、硅之間形成歐姆接觸，以形成芯片；

S203)陰極低溫鍵合：通過低溫鍵合工藝，將所述芯片的陰極面與鉬片鍵合到一起；

S204)結終端處理：對所述芯片的結終端進行臺面造型及保護處理；

S205)靜態參數測試：對所述芯片進行靜態參數測試；

S206)質子輻照：對靜態參數合格的芯片的陽極面施以質子輻照；

S207)電子輻照：對所述芯片施以電子輻照；

S208)封裝測試：對所述芯片進行測試、封裝及出廠測試。