[發明專利]一種復合層電極及其制備方法以及使用該復合層電極的透光太陽能電池有效
| 申請號: | 201610618370.0 | 申請日: | 2016-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN106057924B | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發明(設計)人: | 于威;黃艷紅;傅廣生;劉海旭;郭強;叢日東;劉嘯宇 | 申請(專利權)人: | 河北大學 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/075 |
| 代理公司: | 石家莊國域專利商標事務所有限公司13112 | 代理人: | 胡澎 |
| 地址: | 071002 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 電極 及其 制備 方法 以及 使用 透光 太陽能電池 | ||
1.一種復合層電極的制備方法,其特征是,包括以下步驟:
a、濺射第一層透明導電薄膜:將透明絕緣基板清洗并預熱后,放入磁控濺射設備的反應腔室中在透明絕緣基板的暴露面進行濺射,或是將已沉積P-I-N發電層薄膜的基板放入磁控濺射設備的反應腔室中,在P-I-N發電層薄膜的暴露面進行濺射,形成第一層的透明導電薄膜;磁控濺射設備的反應腔室的壓強為0.003Torr~0.005Torr,功率為80W~150W,襯底溫度150℃~200℃,濺射時間為20min ~30min;
b、濺射金屬膜層:使用磁控濺射設備,在已濺射好的第一層透明導電薄膜上濺射金屬膜層,磁控濺射設備的反應腔室的壓強為0.004Torr ~0.005Torr,功率為150W~200W,襯底溫度為50℃~100℃,濺射時間為30s ~100s;
c、退火制備金屬納米顆粒:制備完成的金屬薄膜在磁控濺射設備的反應腔室中直接進行退火處理,反應腔室中的真空度為1×10-3Pa~5×10-3Pa以上,溫度為200℃~400℃,退火時間為20min ~90min;制作前電極復合層的中間的金屬膜層中的金屬納米顆粒的平均粒徑為10nm~50nm,覆蓋率為5%~10%;制作背電極復合層的中間的金屬膜層中的金屬納米顆粒的平均粒徑為150nm~200nm,覆蓋率為20%~30%;
d、濺射第二層透明導電薄膜:使用磁控濺射設備,按照與步驟a相同的控制條件,在已退火處理的金屬膜層上濺射,形成第二層的透明導電薄膜;制作前電極復合層的厚度為300nm~400nm,透過率為80%以上;制作背電極復合層的厚度為300nm~400nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





