[發明專利]鍍膜生產線多級氣氛隔離裝置

有效

• 申請號: 201610616844.8
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN106277816B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 徐旻生;莊炳河;張永勝;王應斌;龔文志;滿小花;崔漢夫;張雨龍
• 申請（專利權）人: 愛發科豪威光電薄膜科技（深圳）有限公司
• 主分類號: C03C17/00
• 分類號: C03C17/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

本發明涉及一種鍍膜生產線多級氣氛隔離裝置，用于在鍍膜生產線中隔離相鄰兩鍍膜室的工作氣氛，包括至少兩個依次鄰接且以隔板相分隔的隔離室以及至少兩個與所述隔離室一一對應連通設置的真空泵，在所述隔板中部還設有兩端分別連通所述相鄰兩隔離室的狹縫通道，所述狹縫通道的上下兩側的通道壁板的兩端自所述隔板分別向所述狹縫通道所連通的兩隔離室內延伸預定長度。本發明在傳統的氣阱隔離方式基礎之上，增加氣阱隔離的級數，同時還配合采用狹縫通道連接相鄰的隔離室而實現隔離效果更好的狹縫隔離，從而使整個隔離裝置的氣氛隔離效果提升，能有效滿足高精度要求的氣氛隔離需求，尤其適合用于例如IMITO等需要多種工藝氣氛同步連續工作的鍍膜工藝。

技術領域

本發明涉及基板鍍膜生產技術領域，尤其涉及一種鍍膜生產線多級氣氛隔離裝置。

背景技術

在玻璃基板鍍膜生產中，IMITO工藝(消影ITO)通過引入光學膜層(AR膜)來使得ITO sensor層的反射率等同于AR膜層，從而使得肉眼無法識別ITO sensor層，達到“消影”的效果。IMITO工藝需求鍍膜生產設備具備SiO₂+ITO聯鍍功能，但是，在PVD設備上SiO₂的成膜氣氛與ITO相差巨大，為實現聯鍍功能，必須配備高效的氣氛隔離裝置。

現有的氣氛隔離裝置主要有兩種：旋轉室(Rotary chamber)隔離裝置和氣阱式隔離裝置。其中，旋轉室隔離裝置可以起到很好的氣氛隔離效果，但是，這種隔離裝置專屬于AR膜鍍膜機型，成本過高；而氣阱式隔離裝置雖然成本低廉，但是，其氣氛隔離效果有限，無法滿足IMITO工藝的生產需求。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種鍍膜生產線多級氣氛隔離裝置，以提升氣氛隔離效果。

為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：一種鍍膜生產線多級氣氛隔離裝置，用于在鍍膜生產線中隔離相鄰兩鍍膜室的工作氣氛，包括至少兩個依次鄰接且以隔板相分隔的隔離室以及至少兩個與所述隔離室一一對應連通設置的真空泵，在所述隔板中部還設有兩端分別連通所述相鄰兩隔離室的狹縫通道，所述狹縫通道的上下兩側的通道壁板的兩端自所述隔板分別向所述狹縫通道所連通的兩隔離室內延伸預定長度。

進一步地，所述至少兩個隔離室中的位于兩端的隔離室分別設有與對應的一個鍍膜室相貫通的狹縫通槽，所述狹縫通槽的上下兩側的槽壁板分別朝向隔離室內部延伸預定長度。

進一步地，所述狹縫通道的長高比的范圍為54:500～58:500。

進一步地，位于入口側的所述狹縫通槽的長高比的范圍為70:600～80:600；位于出口側的所述狹縫通槽的長高比的范圍為54:600～58:600。

采用上述技術方案后，本發明至少具有如下有益效果：本發明通過設置至少兩個相鄰接的隔離室，且為每個隔離室一一對應地連接真空泵來進行抽真空處理，實現多級氣阱式隔離，扭曲分子層氣氛擴散路徑，達到氣氛隔離效果；而且，相鄰的隔離室之間還通過狹縫通道相連接，狹縫隔離可更加高效地限制氣氛擴散。本發明在傳統的氣阱隔離方式基礎之上，增加氣阱隔離的級數，同時還配合采用狹縫通道連接相鄰的隔離室而實現隔離效果更好的狹縫隔離，從而使整個隔離裝置的氣氛隔離效果好，能有效滿足高精度要求的氣氛隔離需求，尤其適合用于例如IMITO等需要多種工藝氣氛同步連續工作的鍍膜工藝。

附圖說明

圖1是本發明鍍膜生產線氣氛隔離裝置的結構原理示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本申請作進一步詳細說明。應當理解，以下的示意性實施例及說明僅用來解釋本發明，并不作為對本發明的限定，而且，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互結合。