[發明專利]一種半導體用鉬片鍍銠工藝在審
| 申請號： | 201610614566.2 | 申請日： | 2016-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN106245084A | 公開（公告）日： | 2016-12-21 |
| 發明（設計）人： | 楊素賢 | 申請（專利權）人： | 成都立威訊科技有限公司 |
| 主分類號： | C25D7/12 | 分類號： | C25D7/12;C25D5/38;C25D3/50 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新區*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 用鉬片鍍銠 工藝 | ||
【說明書】：
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