[發明專利]一種基于錳摻雜氮化銅薄膜的可見光探測器

有效

• 申請號: 201610614357.8
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN106206829B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 李興鰲;趙楊華;楚亮;賈振宏;張巧霞;於愛愛;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 南京知識律師事務所32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種基于錳摻雜氮化銅薄膜的可見光探測器，該探測器器主要分為四層，依次包括：襯底、底電極、可見光吸收層和頂電極，其特征在用于，所述可見光吸收層為錳摻雜氮化銅薄膜。

2.如權利要求1所述的可見光探測器，其特征在于：所述錳摻雜氮化銅薄膜采用雙靶共濺射制備。

3.如權利要求1所述的可見光探測器，其特征在于：所述襯底為透明電子玻璃或者載玻片；所述底電極為透明導電薄膜；所述頂電極為金屬材料。

4.如權利要求3所述的可見光探測器，其特征在于：所述透明導電薄膜為FTO、ITO或AZO；所述金屬材料為Au、Ag、Cu、Pt、Al或Ti。

5.如權利要求1所述的可見光探測器，其特征在于：所述可見光吸收層的厚度為厚度為50-300nm，所述頂電極的厚度為100nm。

6.一種如權利要求1所述的可見光探測器的制備方法，其特征在于，所述制備方法的具體步驟為：

a.在襯底上，用稀鹽酸和鋅粉進行刻蝕，制得導電層，作為底電極；

b.清洗并烘干上述襯底，并以此作為基片，采用雙靶共濺射制備錳摻雜氮化銅薄膜，得到可見光吸收層；

c.直接在上述基片的可見光吸收層上，通過濺射靶材或蒸發蒸鍍制備頂電極。

7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述襯底為透明電子玻璃或者載玻片；所述底電極為透明導電薄膜；所述頂電極為金屬材料。

8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：底電極的寬度為0.8cm；錳摻雜氮化銅薄膜厚度為50-300nm；頂電極的厚度為100nm。

9.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：在上述步驟b中，錳摻雜氮化銅薄膜的制備過程為：將基片放置于真空度優于5.0×10^-4Pa的環境中，采用銅靶材和錳靶材在通入氮氣和氬氣的氛圍中進行共濺射，制得錳摻雜氮化銅薄膜。

10.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于：在上述步驟c中，頂電極的制備過程為：將樣品放置于真空度為5.0×10^-4Pa的環境中，再通入純氬氣，通過濺射靶材進行電極的制備，或者轉入高真空環境的蒸發室進行電極的沉積。