[發明專利]一種鍍膜方法和鍍膜系統及稀土磁體的制備方法

有效

• 申請號: 201610608193.8
• 申請日: 2016-07-28
• 公開（公告）號: CN106282948B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 李志學;李紹芳;馮志兵;李景宏
• 申請（專利權）人: 北京中科三環高技術股份有限公司;天津三環樂喜新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56;C23C14/16;H01F41/02;H01F41/18
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙)11446
• 代理人: 劉國偉,鮑曉芳

1.一種鍍膜方法，用于稀土磁體的鍍膜，其特征在于，包括步驟：

A、將磁體在水平方向多行排列在托盤上；

B、將所述托盤送入鍍膜區，所述托盤帶動所述磁體往復多次通過濺射鍍膜設備的濺射區，所述磁體往復通過所述濺射區的次數為2n+1次，所述n為整數，所述濺射鍍膜設備與磁體上表面的垂直距離為10-200mm；在濺射發生時，開啟所述鍍膜區的鍍膜室傳送輥上的負偏壓發生器，所述托盤底部的中空區域分布不同電阻值的金屬構件，使得所述中空區域的中間電阻值低，兩側電阻值高，所述托盤表面區域電阻值不同，對應施加到磁體的電壓值不同，靶材兩側散射的離子流向中間區域聚焦；

C、完成鍍膜后，所述托盤帶動所述磁體移出所述鍍膜區。

2.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，在步驟A之后，步驟B之前增加步驟：在進料室對所述托盤上的磁體進行清洗處理；

在步驟C之后增加步驟：將完成鍍膜的磁體進行冷卻。

3.根據權利要求2所述的鍍膜方法，其特征在于，第一批次磁體進入所述進料室后，第二批次磁體即放置在另一托盤上，實現連續批量化的生產。

4.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，將需雙面鍍膜的磁體在第一面鍍膜后翻面，然后再次送入所述鍍膜處理區，完成第二面鍍膜。

5.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述磁體通過所述濺射鍍膜設備的濺射區的速度為0.01-1.0m/s。

6.一種鍍膜系統，用于稀土磁體的鍍膜，其特征在于，包括：進料室、鍍膜區、出料室、傳送裝置和抽真空設備；

所述進料室包括保護氣體入口、進料閥和安裝在頂部的離子轟擊裝置；

所述鍍膜區包括第一緩沖室、鍍膜室和第二緩沖室，

所述鍍膜室的頂部安裝有濺射鍍膜設備，所述第一緩沖室、第二緩沖室和所述鍍膜室相連，所述第一緩沖室和第二緩沖室分別位于所述鍍膜室兩側；

所述出料室包括保護氣體入口、出料閥和冷卻設備；

其中，所述進料室通過第一緩沖室進料閥連接第一緩沖室，所述第二緩沖室通過出料室進料閥連接所述出料室；

所述傳送裝置包括托盤和托盤移動設備，所述托盤移動設備安裝在所述進料室、鍍膜區和出料室內；工作時，所述鍍膜區內的托盤移動設備帶動所述托盤往復多次通過所述鍍膜室，所述托盤往復通過所述鍍膜室的次數為2n+1次，所述n為整數；

所述托盤移動設備為水平方向平行排列的一列高度一致的傳送輥，所述鍍膜室的傳送輥上安裝負偏壓發生器；

所述托盤為導電材質，在所述托盤的底部設置中空區域，所述中空區域與所述濺射鍍膜設備工作區的長度和寬度一致；所述中空區域設置不同電阻值的金屬構件，使得中空區域的中間電阻值低，兩側電阻值高；

所述抽真空設備連接所述進料室、鍍膜區、出料室。

7.根據權利要求6所述的鍍膜系統，其特征在于，進一步包括進料臺和出料臺；所述進料臺通過進料室進料閥連接所述進料室，所述出料臺通過所述出料臺出料閥連接所述出料室。

8.根據權利要求7所述的鍍膜系統，其特征在于，所述進料室、鍍膜區、出料室、進料臺和出料臺安裝有物料位置傳感器。

9.根據權利要求6所述的鍍膜系統，其特征在于，所述濺射鍍膜設備包括陽極離子源和含有Dy及Tb重稀土金屬的平面陰極環形跑道型或矩型磁控濺射靶材。

10.根據權利要求6所述的鍍膜系統，其特征在于，所述濺射鍍膜設備為數量為兩個或兩個以上，彼此平行排列。

11.根據權利要求6所述的鍍膜系統，其特征在于，所述濺射鍍膜設備與磁體上表面的垂直距離為10-200mm。

12.根據權利要求11所述的鍍膜系統，其特征在于，所述濺射鍍膜設備與磁體上表面的垂直距離為20-100mm。

13.一種稀土磁體的制備方法，其特征在于，包括：

鍍膜工序；

晶界擴散處理工序：將完成鍍膜的磁體熱擴散處理，在10^-1Pa-10^-4Pa真空狀態或者1Pa-80kPa惰性氣體環境下，750℃-1000℃范圍內保溫1h-60h；將熱擴散處理的磁體做第二級保溫處理，溫度為450℃-600℃，處理時間為1h-10h；

其中，所述鍍膜工序采用權利要求1～5任一所述的鍍膜方法對磁體進行鍍膜。