[發明專利]一種FinFET器件及制備方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610607628.7
• 申請日: 2016-07-28
• 公開（公告）號: CN107665824B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 張海洋;王彥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種FinFET器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成有鰭片材料層和種子層，所述種子層用以作為刻蝕所述鰭片材料層的掩膜；

在所述種子層上形成具有開口圖案的掩膜層，所述開口圖案露出所述種子層；

在露出的所述種子層上形成蝕刻催化劑層；

以所述掩膜層為掩膜、以所述蝕刻催化劑層為輔助執行化學蝕刻，以在所述種子層和所述鰭片材料層中形成開口和通過所述開口間隔的鰭片，其中，形成所述開口和所述鰭片的步驟包括：

以所述掩膜層為掩膜、以所述蝕刻催化劑層為輔助蝕刻所述種子層，以在所述種子層中形成所述開口；

以所述掩膜層和所述種子層為掩膜、以所述蝕刻催化劑層為輔助蝕刻所述鰭片材料層，以形成所述鰭片，以及其中，

以所述種子層和所述掩膜層為掩膜蝕刻所述鰭片材料層的步驟中采用的蝕刻液包括HF和KMnO₄。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述種子層的步驟中蝕刻液包括H₂O₂和H₂SO₄。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鰭片材料層包括三五族鰭片材料層。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述鰭片材料層包括InGaAs層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述種子層選用InP層。

6.根據權利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述種子層的形成方法包括金屬有機化合物化學氣相沉積。

7.據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過電子束蒸發的方法形成所述蝕刻催化劑層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括去除所述掩膜層和所述蝕刻催化劑層的步驟。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括通過HCl和H₃PO₄去除所述種子層的步驟，以露出所述鰭片。

10.一種FinFET器件，其特征在于，所述FinFET器件通過權利要求1至9之一所述方法制備得到。

11.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求10所述的FinFET器件。