[發明專利]一種阻變隨機存儲器及其制造方法在審
| 申請號： | 201610607593.7 | 申請日： | 2016-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN107665945A | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發明（設計）人： | 鄒陸軍;楊蕓;仇圣棻 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 董巍,高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 隨機 存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種阻變隨機存儲器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供基底；
在所述基底上形成介電層；
在所述介電層上形成緩沖層；
在所述緩沖層和所述介電層中形成開口；
在所述開口中形成下電極。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述介電層上形成緩沖層所采用的方法為原子層沉積或化學氣相沉積。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層的材料包括氮化硅。
4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成介電層所采用的方法為原子層沉積或化學氣相沉積。
5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介電層的材料為摻氮的碳化硅或黑金剛石。
6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述下電極的材料包括氮化鈦或氮化鉭。
7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述下電極上沉積形成阻變材料層的步驟。
8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述阻變材料層上形成上電極的步驟。
9.一種阻變隨機存儲器，其特征在于，包括：
基底；
介電層，形成于基底上；
緩沖層，形成于所述介電層上；
開口，形成于所述介電層和所述緩沖層中；
下電極，形成于所述開口中。
10.如權利要求9所述的阻變隨機存儲器，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮化硅。
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