[發(fā)明專利]一種熔石英光學元件表面的處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610606135.1 | 申請日： | 2016-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN106277814B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫來喜;黃進;蔣曉東;葉鑫;劉紅婕;王鳳蕊;耿峰;周曉燕;李青芝 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號： | C03C15/02 | 分類號： | C03C15/02 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吳開磊 |
| 地址： | 621000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熔石英光學元件 去離子水 漂洗 反應離子刻蝕 材料去除量 粗糙度 緩釋 刻蝕 損傷 | ||
1.一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，主要包括如下步驟：
(A)對熔石英光學元件的表面進行反應離子刻蝕處理后，去離子水漂洗，反應離子刻蝕所采用的刻蝕氣體為CHF3和Ar的混合氣，兩者之間的體積比控制在(0.3-0.8)：1之間；
(B)再采用HF-NH4F緩釋溶液對熔石英光學元件的表面進行刻蝕處理，去離子水漂洗，即可；
其中，反應離子刻蝕過程采用平板電極射頻等離子體放電系統(tǒng)進行，射頻功率控制在100-300W之間，射頻偏壓控制在800-900V之間，刻蝕速率控制在1.5-4.5μm/h之間；
所述步驟(A)與所述步驟(B)之間，還包括如下步驟：將熔石英光學元件進行堿清洗、去離子水漂洗、酸清洗、去離子水漂洗；
所述刻蝕處理以及去離子水漂洗均在兆聲波清洗機中進行。
2.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，所述步驟(A)中，CHF3和Ar兩者之間的體積比控制在(0.4-0.7)：1之間。
3.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，所述步驟(A)中，反應離子刻蝕過程中，對熔石英光學元件進行冷卻處理，冷卻的溫度控制在20-30℃之間。
4.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，所述步驟(A)中，在進行反應離子刻蝕之前，先采用N2對熔石英光學元件的表面進行吹掃。
5.根據權利要求4所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，進行反應離子刻蝕之后，采用Ar對熔石英光學元件的表面進行吹掃。
6.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，堿清洗所采用的溶劑為micro-90和去離子水，兩者之間的體積比控制在1：(10-15)。
7.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，酸清洗采用的溶劑為HNO3、H2O2和去離子水，三者之間的體積比控制在(10-12):(5-7):1。
8.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，所述步驟(B)中，HF-NH4F緩釋溶液中，HF、NH4F和去離子水之間的體積比控制在(1-2):(4-5):10。
9.根據權利要求1所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，步驟(A)中，去離子水漂洗的時間控制在40min以上。
10.根據權利要求9所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，步驟(A)中，去離子水漂洗的時間控制在80-120min之間。
11.根據權利要求9所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，兆聲波清洗機的兆聲波的頻率控制在430kHz-1.3Mhz之間，漂洗后采用去離子水噴淋10-20min。
12.根據權利要求9所述的一種熔石英光學元件表面的處理方法，其特征在于，先采用430kHz-500kHz的兆聲波頻率清洗10-12min，再采用1.2Mhz-1.3Mhz的兆聲波頻率清洗10-12min，反復交替進行。
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