[發(fā)明專利]利用SRAM緩存降低EEPROM無(wú)效擦除寫入操作的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610603727.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106155941B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王勇;郜時(shí)興;葛苒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河南西瑞醫(yī)療電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G06F12/14 | 分類號(hào)： | G06F12/14 |
| 代理公司： | 鄭州德勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41128 | 代理人： | 黃軍委 |
| 地址： | 450008 河南省*** | 國(guó)省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 sram 緩存 降低 eeprom 無(wú)效 擦除 寫入 操作 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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- 緩存控制方法、裝置和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 至少具有三個(gè)緩存級(jí)別的緩存層級(jí)的混合低級(jí)緩存包含策略
- 基于雙緩存區(qū)的緩存方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 緩存預(yù)載方法、裝置、處理器芯片及服務(wù)器
