[發明專利]應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 201610603222.1 | 申請日: | 2016-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN107663080B | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 楊鵬遠;朱煜;徐登峰;許巖;侯占杰;成榮;雷忠興;韓瑋琦;王建沖;唐娜娜 | 申請(專利權)人: | 北京華卓精科科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C04B35/10;C04B35/622;B28B1/29 |
| 代理公司: | 北京頭頭知識產權代理有限公司 11729 | 代理人: | 劉鋒 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 靜電 卡盤 氧化鋁陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷,其特征在于,所述氧化鋁陶瓷由以下重量份的組分組成:
所述氧化鋁陶瓷通過如下步驟制備:
步驟1:將稱取的二氧化鈦、二氧化硅和氧化鎂粉料混合均勻,然后將混合粉料在900-1100℃下進行預燒3.5-6小時,隨爐冷卻至常溫,然后研磨至粒徑為100-200目,得到第一混合粉料;
步驟2:將所述第一混合粉料與α-氧化鋁混合均勻,然后研磨至粒徑為150-350目,得到第二混合粉料;
步驟3:在所述第二混合粉料中加入有機溶劑和分散劑,進行第一次球磨攪拌;然后加入粘結劑和增塑劑進行第二次球磨攪拌,得到混合漿料;
步驟4:將所述混合漿料在流延機上進行流延,流延結束后將得到的厚度為0.1-1.0mm的流延片進行排膠處理后放入燒結爐在1000-1350℃下燒結2-5.5小時。
2.根據權利要求1所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷,其特征在于,所述氧化鋁陶瓷由以下重量份的組分組成:
3.權利要求1-2任一所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1:將稱取的二氧化鈦、二氧化硅和氧化鎂粉料混合均勻,然后將混合粉料在900-1100℃下進行預燒3.5-6小時,隨爐冷卻至常溫,然后研磨至粒徑為100-200目,得到第一混合粉料;
步驟2:將所述第一混合粉料與α-氧化鋁混合均勻,然后研磨至粒徑為150-350目,得到第二混合粉料;
步驟3:在所述第二混合粉料中加入有機溶劑和分散劑,進行第一次球磨攪拌;然后加入粘結劑和增塑劑進行第二次球磨攪拌,得到混合漿料;
步驟4:將所述混合漿料在流延機上進行流延,流延結束后將得到的厚度為0.1-1.0mm的流延片進行排膠處理后放入燒結爐在1000-1350℃下燒結2-5.5小時。
4.根據權利要求3所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟1中預燒的溫度為950-1050℃,預燒的時間為3.5-4小時。
5.根據權利要求4所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟1中研磨至粒徑為100-150目。
6.根據權利要求3所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟2中研磨至粒徑為200-250目。
7.根據權利要求3所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟3中第一次球磨攪拌和第二次球磨攪拌的時間都為24-48小時,所述混合漿料中氧化鋁基成分的質量百分比為45-55%。
8.根據權利要求7所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟3中,有機溶劑為乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶劑體系中的一種或兩種,分散劑為磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一種或幾種,粘接劑為聚乙烯醇、丙烯酸乳液、聚丙烯酸銨鹽、聚醋酸乙烯酯中的一種或多種,增塑劑為鄰苯二甲酸二丁酯、甘油、聚乙二醇、鄰苯二甲酸二辛酯中的一種或幾種。
9.根據權利要求3所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟4中流延片的厚度為0.2-0.3mm。
10.根據權利要求9所述的應用于J-R型靜電卡盤的氧化鋁陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟4中燒結的溫度為1250-1300℃,燒結的時間為3-4小時。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





