[發(fā)明專(zhuān)利]一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610594426.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-07-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107658367A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張杰;宋廣華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 362000 福建省泉州市*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 異質(zhì)結(jié) 電池 化學(xué) 處理 方法 | ||
1.一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述處理方法包括如下步驟:
將硅片放入含有臭氧的堿性液中進(jìn)行預(yù)清洗,然后用去離子水漂洗;;
對(duì)預(yù)清洗后的硅片進(jìn)行去損傷層處理,然后用去離子水漂洗干凈;;
對(duì)去損傷層處理后的硅片放入堿性溶液和制絨添加劑的混合溶液中進(jìn)行制絨,然后用去離子水漂洗;
將制絨處理后的硅片放入鹽酸和氫氟酸的混合溶液中進(jìn)行酸堿中和清洗,然后用去離子水漂洗;
將酸堿中和清洗后的硅片用HF/HCL/O3混合溶液進(jìn)行圓潤(rùn)化清洗,去除有機(jī)物、金屬離子以及氧化和蝕刻硅,圓潤(rùn)化硅片;
對(duì)圓潤(rùn)化清洗后的硅片進(jìn)行后清洗;
將后清洗的硅片慢提拉脫水,并用氮?dú)夂娓伞?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟將硅片放入含有臭氧的堿性液中進(jìn)行預(yù)清洗為將硅片放入中臭氧濃度為5-35ppm,質(zhì)量百分比為0.01%-0.5%的氫氧化鉀,預(yù)清洗在溫度為30-50℃下處理2-10分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟對(duì)預(yù)清洗后的硅片進(jìn)行去損傷層處理為將硅片放入質(zhì)量百分比為3%-20%,去離子水質(zhì)量百分比為80%-97%的氫氧化鉀溶液,反應(yīng)溫度為70℃-90℃下處理1-5分鐘,去除掉表面的機(jī)械損傷層,硅片腐蝕深度為5-20um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟對(duì)去損傷層處理后的硅片放入堿性溶液和制絨添加劑的混合溶液中進(jìn)行制絨為將硅片放入質(zhì)量百分比為0.5%-3%的氫氧化鉀溶液中,溫度為75-85℃下進(jìn)行,制絨時(shí)間為15-40分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟將制絨處理后的硅片放入鹽酸和氫氟酸的混合溶液中進(jìn)行酸堿中和清洗的混合溶液中鹽酸所用的質(zhì)量百分比為1%-5%,氫氟酸所用的質(zhì)量百分比為0.5%-3%,硅片在溫度為20-30℃的鹽酸和氫氟酸的混合溶液中處理3-10分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟圓潤(rùn)化清洗在HF/HCL/O3混合溶液中鹽酸質(zhì)量百分比在2%-10%,HF酸質(zhì)量百分比在0.5%-5%,臭氧濃度在5-35ppm;硅片在溫度為30-50℃的HF/HCL/O3混合溶液中清洗5-20分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)電池的濕化學(xué)處理方法,其特征在于:所述步驟后清洗為將放入硅片質(zhì)量百分比為0.5%-8%的HF酸,質(zhì)量百分比為92%-99.5%的去離子水,在溫度為20℃-30℃的HF酸溶液中的處理1-6分鐘。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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