[發(fā)明專利]一種RC-IGBT器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610594277.0 | 申請日： | 2016-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN106098762B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張金平;熊景枝;廖航;劉競秀;李澤宏;任敏;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 rc igbt 器件 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
