[發(fā)明專利]一種降低金剛石壓頭納米印壓單側(cè)成孔圓度誤差的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610590767.3 | 申請日： | 2016-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN106311868B | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 石廣豐;史國權(quán);許穎;趙偉宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | B21D28/26 | 分類號： | B21D28/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 金剛石 壓頭 納米 印壓單側(cè)成孔圓度 誤差 方法 | ||
【說明書】：
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