[發明專利]一種室溫鐵磁半導體材料MnSiP2及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201610590747.6 | 申請日： | 2016-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN106252017B | 公開（公告）日： | 2018-05-04 |
| 發明（設計）人： | 王善朋;陶緒堂;張翔;于童童 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01F1/40 | 分類號： | H01F1/40;H01F41/02 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司37219 | 代理人： | 王緒銀 |
| 地址： | 250100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 室溫 半導體材料 mnsip2 及其 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種室溫鐵磁半導體材料MnSiP2的制備方法，其特征是，包括以下步驟：
(1)按摩爾比Mn:Si:P＝1:1:2.0～2.5的比例分別稱取Mn、Si和P三種單質原料，將原料一起研磨均勻，裝入石英管內，抽真空3×10-4Pa～5×10-4Pa后，封燒石英管;
(2)將石英管采用階段性升溫，先以30℃/小時-50℃/小時的升溫速率升至450℃～500℃，恒溫15小時～20小時，繼續升溫至反應溫度950～1100℃，恒溫反應20小時～30小時，最后以50小時～100小時緩慢降溫至室溫;
(3)打開石英管，取出結晶較好的料塊，用去離子水清洗干凈，放置于烘箱中干燥處理，得到室溫鐵磁半導體材料MnSiP2。
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