[發明專利]一種磁流變拋光面形誤差收斂控制加工方法有效
| 申請號: | 201610590656.2 | 申請日: | 2016-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN106826401B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 張學軍;李龍響;薛棟林;王旭;張峰 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 高燕燕;仇蕾安 |
| 地址: | 130033 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 流變 拋光 誤差 收斂 控制 加工 方法 | ||
1.一種磁流變拋光面形誤差收斂控制加工方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、針對待加工光學表面的材料,選擇磁流變液,并獲取磁流變液針對所述材料的去除函數,對去除函數數值離散化處理得到去除函數矩陣R;
步驟2、在所述待加工光學表面上選取數據點,建立面形誤差向量e,采用面形檢測方法對所選取的數據點進行檢測,得到各數據點上面形誤差,組成e的初始值;
步驟3、建立基于面形的收斂矩陣運算模型Rt=e,σ≤t≤ω;σ為駐留時間最小值,且σ>0;ω為駐留時間最大值,ω>σ;
步驟4、根據駐留時間的約束域[σ、ω],獲取初始面形誤差的材料最小均勻附加厚度h;
h的獲取方法為:在所述待加工光學表面上選取駐留點,使用所述磁流變液在每個駐留點處依次駐留最小駐留時間σ,完成后將各數據點處在每次駐留產生的材料去除進行疊加,得到該數據點的總的材料去除,所有數據點的總材料去除組合形成材料去除層,所述材料去除層的峰谷值之差即為材料最小均勻附加厚度h;
步驟5、在所述最小均勻附加厚度為h的基礎上,建立面形殘差的均方根值作為優化函數,在駐留時間約束域下,利用自適應正則化迭代和正投影最小二乘法,求解使得優化函數最小的駐留時間;
所述步驟5具體分為如下步驟:
s501、所述數據點個數設為M個,則其中ei為第i個數據點的面型誤差值;
所述駐留點個數設為N個,則tj為在第j個駐留點處的駐留時間;
rij為當駐留在第j個駐留點時,去除函數單位時間內對第i個數據點產生的材料去除,j取值范圍為1~N,i取值范圍為1~M;
s502、建立面形殘差的均方根公式為:
其中β是正則化因子,ρ是初始面形偏置率;
s503、設置迭代次數k的初始值為1;當k的值為1時,隨機設置自適應正則化因子的初始值β1;
s504、針對第k次迭代,先計算第k次迭代的自適應正則化因子βk,利用無約束的最小二乘即lsqr或其他線性方向求解方法對所述均方根公式求解得到駐留時間向量tklsqr;判斷向量tklsqr中每個元素的大小;得到第k次自適應正則化迭代的解為:
是正約束域下求解的駐留時間矢量;tklsqr(n)為向量tklsqr中的第n個元素;tk+(n)為向量tk+中的第n個元素;
s505、更新第k+1次迭代的自適應正則化因子βk+1為:采用s504的方法計算判斷是否滿足條件若不滿足則重復s505,則若滿足則自適應正則化迭代停止,以作為最終解
步驟6、根據所述駐留時間,對待加工光學表面進行磁流變加工。
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