[發(fā)明專利]太陽能電池及其模組

在審

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• 申請日: 2016-07-25
• 公開（公告）號: CN107644917A
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建文;吳奕德;吳奇錕
• 申請（專利權(quán)）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236
• 代理公司: 北京泰吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11355
• 代理人: 張雅軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種太陽能電池及其模組，特別是涉及一種多晶硅太陽能電池及其模組。

背景技術(shù)

已知的硅晶太陽能電池的硅晶片(wafer)基板，是通過切割硅晶塊(brick)以得到數(shù)片薄片狀晶片。現(xiàn)有將晶塊切割出晶片的方式，是利用一切晶機臺的切割線網(wǎng)，配合砂漿(slurry)噴灑于該線網(wǎng)上，切晶制程的切削力主要來自于該砂漿，再通過該線網(wǎng)將砂漿導(dǎo)入，以將該硅晶塊切成一片一片的硅晶片，此方式以下簡稱砂漿切割技術(shù)。后來發(fā)展出另一種切割方式，為鉆石線切割(diamond wire saw)技術(shù)，是利用鉆石線進行切割，此相對于砂漿切割技術(shù)較為環(huán)保、產(chǎn)出效率高且成本低，因此鉆石線切割技術(shù)的發(fā)展有其重要性。但無論是砂漿切割或鉆石線切割后，都會導(dǎo)致晶片表面損傷(saw damage)，所以一般在太陽能電池制程中，會利用濕蝕刻(wet etching)方式先清洗晶片，例如將晶片浸泡于硝酸、氫氟酸的化學(xué)液槽體中，一方面可去除上述因切割造成的損傷，一方面可以使晶片表面粗糙化(texture)，利用粗糙結(jié)構(gòu)可減少入射光反射，以提升入射光量。

其中，砂漿切割技術(shù)得到的晶片，可以與一般的濕蝕刻制程搭配，由此得到粗糙化后的晶片，其表面粗糙程度足夠。參閱圖1、2，分別是利用砂漿切割得到的晶片101與晶片101進行濕蝕刻后的SEM照片，顯示晶片101在進行濕蝕刻后表面有許多凹凸結(jié)構(gòu)。在制造成本的考量下，一般仍會希望將鉆石線切割得到的晶片搭配一般的濕蝕刻制程來制造太陽能電池，然而申請人發(fā)現(xiàn)，若以鉆石線切割得到的晶片搭配一般的濕蝕刻制程，雖可去除晶片的切割損傷，但晶片表面的粗糙化程度并不足夠，無法有效降低入射光的反射。參閱圖3，是利用鉆石線切割并且濕蝕刻后的晶片SEM照片，顯示晶片102表面有顆粒狀103，但顆粒狀103構(gòu)成平臺，導(dǎo)致晶片102表面粗糙度不足。

也就是說，砂漿切割技術(shù)搭配現(xiàn)有的濕蝕刻制程，能確實達到晶片表面粗糙化效果。但對于鉆石線切割技術(shù)而言，若是一成不變地套用現(xiàn)有的濕蝕刻制程，反而不利于晶片粗糙化。因此，針對鉆石線切割技術(shù)切割出的晶片，如何有效提升其表面粗糙度，為一重要課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種能增加基板受光面粗糙度、提升入光量與轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池及其模組。

本發(fā)明的太陽能電池，包含一個基板、一個抗反射層、一個正面電極與一個背面電極。該基板為多晶硅基板，并具有相對的一個受光面與一個背面，以及一個位于該受光面的射極層，該受光面具有一個線痕區(qū)及一個粒狀區(qū)，該線痕區(qū)具有數(shù)個彼此間隔且大致沿一個第一方向延伸的線痕，該粒狀區(qū)具有數(shù)個大致沿該第一方向排列的顆粒狀痕。該抗反射層位于該射極層上。該正面電極位于該受光面。該背面電極位于該背面。

本發(fā)明所述的太陽能電池，該基板還包括兩個沿該第一方向間隔排列的第一側(cè)邊，以及兩個間隔相對并連接所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊，每一個線痕自所述第一側(cè)邊中的其中一個朝另一個延伸。

本發(fā)明所述的太陽能電池，該正面電極包括至少一個匯流電極，以及數(shù)個連接該匯流電極的指狀電極，每一個線痕的延伸方向與所述指狀電極的延伸方向相同。

本發(fā)明所述的太陽能電池，該正面電極包括至少一個匯流電極，以及數(shù)個連接該匯流電極的指狀電極，每一個線痕的延伸方向與所述指狀電極的延伸方向不同。

本發(fā)明所述的太陽能電池，還包含一個位于該基板的該背面的背電場層。

本發(fā)明的太陽能電池模組，包含相對設(shè)置的一個第一板材與一個第二板材、至少一個如上述且設(shè)置于該第一板材與該第二板材間的太陽能電池，及一個位于該第一板材與該第二板材之間，并接觸該太陽能電池的封裝材。

本發(fā)明的有益效果在于：通過該受光面具有該線痕區(qū)與該粒狀區(qū)，該線痕區(qū)的所述線痕與該粒狀區(qū)的所述顆粒狀痕，能增加該受光面的表面粗糙度，減少入射光反射，進而提升入光量與光電轉(zhuǎn)換效率。

附圖說明

本發(fā)明的其他的特征及功效，將于參照圖式的實施方式中清楚地呈現(xiàn)，其中：

圖1是一掃描式電子顯微鏡(SEM)拍下的照片，顯示利用砂漿切割技術(shù)得到的一晶片的局部表面型態(tài)；

圖2是一SEM照片，顯示利用砂漿切割且進行濕蝕刻后的晶片局部表面；

圖3是一SEM照片，顯示利用鉆石線切割并且經(jīng)一般的濕蝕刻制程后的晶片局部表面；

圖4是本發(fā)明太陽能電池模組的一實施例的一示意圖；

圖5是該實施例的一太陽能電池的正面示意圖；

圖6是沿圖5的A-A線所取的剖視圖；