[發明專利]用于設置工藝配方數據的方法和系統

有效

• 申請號: 201610587600.1
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN107643732B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 尤艷艷
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: G05B19/418
• 分類號: G05B19/418
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平;楊國權

本發明公開了用于設置工藝配方數據的方法和系統，所述方法包括：S1、獲取工藝配方的ID，根據所述工藝配方的ID從下位機中獲取所述工藝配方的主體對象；其中，所述工藝配方的主體對象中含有所述工藝配方的類別、容差類型、以及工藝參數的信息；S2、解析所述工藝配方的主體對象，從所述工藝配方的主體對象中獲取工藝步驟，并對每一步工藝步驟生成工藝步驟信息列；S3、將生成的每一步工藝步驟信息列都添加到工藝配方表中。本發明的技術方案實現了對工藝配方單獨設置容差值。

技術領域

本發明涉及自動化生產工藝，更具體地，涉及一種用于設置工藝配方數據的方法和一種用于設置工藝配方數據系統。

背景技術

工業自動化生產中的工藝配方，其內容包含工藝過程中的多個步驟，以及各個步驟中的各種工藝參數值和本步驟持續時間。在自動化生產過程中，生產線設備依據工藝配方的內容完成對物料的加工，產品的質量可通過調整工藝配方來改進，所以一個先進的工藝配方對提升產品價值有著非常重要的作用，尤其是在半導體生產業。

工藝配方的編輯和管理要盡量做到安全，防止誤刪、誤改或惡意破壞，以免對生產造成損失。工藝配方數據的保存統一采用了XML文件的方式，這樣不僅通用性、規范性好，而且方便用戶閱讀與理解。

在半導體行業中，刻蝕工藝主要有刻蝕工藝、干法清洗工藝和刻蝕-沉積循環工藝等多種工藝類型。刻蝕工藝主要用于硅片刻蝕。干法清洗工藝用于腔室的清洗。刻蝕-沉積循環工藝在于如何實現父配方和子配方之間的關聯關系，以及實現子配方按指定次數循環執行。其中父配方代表整個工藝過程，子配方代表工藝過程中的一個刻蝕-沉積循環單元。針對不同的工藝需求及硬件設備的不同，工藝配方的工藝參數存在不同。

在現有技術方案中，工藝配方中只包含執行工藝時需要的工藝參數，不包含工藝執行過程中監測實時數據用的容差值，容差值一般存儲為整個設備的配置參數，適用于設備上運行的所有工藝配方，但發明人發現，某些情況下單個工藝配方需要單獨設置容差值，現有技術不能滿足這種需求。

發明內容

本發明的一個目的是提供一種能夠對工藝配方單獨設置容差值的新的技術方案。

根據本發明的第一方面，提供了一種用于設置工藝配方數據的方法，包括以下步驟：

S1、獲取工藝配方的ID，根據所述工藝配方的ID從下位機中獲取所述工藝配方的主體對象；其中，所述工藝配方的主體對象中含有所述工藝配方的類別、容差類型、以及工藝參數的信息；所述工藝配方的類別包括父類別和子類別，所述容差類型包括軟硬容差類型和非軟硬容差類型，所述工藝配方的工藝參數包括執行所述工藝配方所需的硬件參數；

S2、解析所述工藝配方的主體對象，從所述工藝配方的主體對象中獲取工藝步驟，并對每一步工藝步驟生成工藝步驟信息列；

S3、將生成的每一步工藝步驟信息列都添加到工藝配方表中。

優選地，所述步驟S2還包括：如果所述工藝配方的類別為子類別并且容差類型為軟硬容差類型，則對于每一步工藝步驟都生成含有軟件容差參數和硬件容差參數的工藝步驟信息列。

優選地，所述步驟S2還包括：如果所述工藝配方的類別為子類別并且容差類型為非軟硬容差類型，則對于每一步工藝步驟都生成不含有軟件容差參數和硬件容差參數的工藝步驟信息列。

優選地，所述方法還包括步驟S4：將所述工藝配方表封裝到上位機工藝配方相關程序的遠程控制信息中。

根據本發明的第二方面，提供了一種用于設置工藝配方數據的系統，包括以下模塊：