[發(fā)明專利]堆疊型太陽能電池模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610587012.8 | 申請日: | 2016-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN107516685B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張佳文;劉永宗;林偉圣 | 申請(專利權(quán))人: | 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01L31/043 | 分類號: | H01L31/043;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 堆疊 太陽能電池 模塊 | ||
一種堆疊型太陽能電池模塊,包括透明基板、第一太陽能電池單元,以及第二太陽能電池單元位于該透明基板與該第一太陽能電池單元之間。第一太陽能電池單元,包括第一電極、第二電極與位于該第一電極與該第二電極之間的第一吸收層,第二太陽能電池單元,包括第三電極、第四電極與位于該第三電極與該第四電極之間的第二吸收層,其中該第二電極鄰近于該第三電極,且該第二電極、該第三電極及該第四電極的設(shè)置位置相對應(yīng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,且有關(guān)于一種堆疊型太陽能電池模塊。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)堆疊型太陽電池是將兩個或兩個以上相同能隙或不同能隙的太陽電池組件堆疊起來,制作成堆疊型太陽能電池模塊。設(shè)計上,一般將能夠吸收高能量光譜的太陽電池組件放在上層,吸收低能量光譜的太陽電池組件放在下層,通過不同光吸收層的材料將太陽光的光譜能量層層吸收,以提升電池模塊效率。
以目前市場占有率最大的硅晶太陽能電池為例,為有效利用硅晶電池未吸收的短波長入射光,于是在硅晶太陽能電池的上方,迭以能隙比硅晶高的寬能隙電池,以提升電池模塊效率。然而,一般上層電池的電極設(shè)計以整面透明導(dǎo)電氧化物(TCO)為主,目的為了讓上電池成為穿透型的電池組件,得以讓長波長光譜通過上電池并到達(dá)下電池(硅晶電池)做吸收。但是,上電池的吸收層除了可吸收短波長入射光,同時上電池的整面透明導(dǎo)電氧化物電極也會將部分的光遮蔽或吸收,造成進(jìn)入硅晶電池的入射光量或強(qiáng)度減少,不利于下層的光吸收層的材料的吸收。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種堆疊型太陽能電池模塊,能解決上電池透明導(dǎo)電氧化物電極的遮蔽及吸收入射光的問題,并增加當(dāng)兩個或兩個以上太陽電池堆疊時,下層電池的光譜能量吸收。
本發(fā)明提供的一種堆疊型太陽能電池模塊,包括透明基板、第一太陽能電池單元,以及第二太陽能電池單元位于該透明基板與該第一太陽能電池單元之間。第一太陽能電池單元,包括第一電極、第二電極與位于該第一電極與該第二電極之間的第一吸收層。第二太陽能電池單元,包括第三電極、第四電極與位于該第三電極與該第四電極之間的第二吸收層,其中該第二電極鄰近于該第三電極,且該第二電極、該第三電極及該第四電極的設(shè)置位置相對應(yīng)。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1A是依照本發(fā)明的第一實施例的一種太陽能電池模塊上視圖;
圖1B是依照圖1A的B-B’線段的剖面示意圖;
圖2是依照本發(fā)明的第二實施例的一種堆疊型太陽能電池模塊的剖面示意圖;
圖3是依照本發(fā)明的第三實施例的一種堆疊型太陽能電池模塊的剖面示意圖;
圖4是依照本發(fā)明的第四實施例的堆疊型太陽能電池模塊的剖面示意圖;
圖5是依照本發(fā)明的第五實施例的一種太陽能電池模塊的剖面示意圖;
圖6是依照本發(fā)明的第六實施例的一種堆疊型太陽能電池模塊的上視圖;
圖7A-7C是依照本發(fā)明的第六實施例的圖6的VII-VII’線段的不同實施態(tài)樣的剖面示意圖。
【符號說明】
1、2、3、4、5、6:堆疊型太陽能電池模塊
100:透明基板
100a:透明基板受光照射的相對表面
102:第一太陽能電池單元
104:第二太陽能電池單元
106:第一電極
108:第二電極
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





