[發(fā)明專利]調(diào)控材料載流子濃度的方法、場效應(yīng)晶體管和制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610585699.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106024901B | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳仙輝;雷彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/78 | 分類號(hào)： | H01L29/78;H01L21/336;G01R31/26;G01R27/02 |
| 代理公司： | 合肥市上嘉專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34125 | 代理人： | 郭華俊 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 調(diào)控 材料 載流子 濃度 方法 場效應(yīng) 晶體管 制造 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
