[發(fā)明專利]一種射線管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610580329.9
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN106024560B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎明;金大志
• 申請（專利權(quán)）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H01J35/24
• 分類號: H01J35/24;H05H3/06;H01J27/20
• 代理公司: 中國工程物理研究院專利中心51210
• 代理人: 翟長明,韓志英

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及屬于核技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種射線管。

背景技術(shù)

射線由各種放射性核素，或者原子、電子、中子等粒子在能量交換過程中發(fā)射出的、具有特定能量的粒子或光子束流，常見的有的α射線、β射線、X射線、γ射線和中子射線等，射線在核物理及核技術(shù)、材料物理、航空航天、醫(yī)療、安檢、地質(zhì)等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。

在安檢領(lǐng)域，應(yīng)用最廣的是X射線技術(shù)，它能提供組成物體物質(zhì)的一些重要特性, 其中最有用的信息就是物體的密度和輪廓，對有特定形狀、背景不太復(fù)雜的違禁物品的檢查效果較為良好。但X射線技術(shù)也存在一些缺陷，對多層包裝的、有金屬外包裝的、液態(tài)的、粉末狀的被檢測物均難以識別，如：難以識別被較厚金屬物品遮擋的管制刀具，難以識別可以制備成任何形狀，甚至做成薄片藏匿的塑料炸藥、毒品，難以識別液態(tài)物品是否為危險物品，如汽油、柴油、酒精等液體危險品與瓶裝有色飲料、酒類、水等，存在較多安檢盲區(qū)。利用中子射線照射被檢測物，能判斷被檢測物中碳、氫、氧、氮元素含量的比值和含量，穿透能力強，識別率高，可靠性好，能解決被金屬或高密度材料密封的液態(tài)爆炸物的探測，不易受被檢測物外包裝影響。隨著國際反恐形勢的日益嚴(yán)峻，單一使用任何一種技術(shù)設(shè)備都難以滿足安全防范技術(shù)的要求，多種技術(shù)融合的檢查方式是發(fā)展趨勢。目前，X射線和中子射線分別由X射線管、中子管及相應(yīng)的供電系統(tǒng)單獨產(chǎn)生，綜合使用成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種射線管。

本發(fā)明的射線管，其特點是：所述射線管包括離子源、陰極、陽極、殼體、電源Ⅰ和電源Ⅱ，其中：

所述的離子源、陰極、陽極位于殼體的空腔中，殼體的空腔為真空環(huán)境；

所述的離子源由外接的電源Ⅰ供電；

所述的離子源與陽極之間通過電路連接，離子源的電位為A，陽極的電位為C；

所述的離子源、陰極和外接的電源Ⅱ之間通過電路連接，陰極的電位為B，A＞B，C＞B；

所述射線管工作過程如下：

a.打開電源Ⅰ和電源Ⅱ；

b.離子源產(chǎn)生的正離子轟擊到陰極產(chǎn)生中子射線，中子射線發(fā)射出射線管；

c.步驟b的正離子轟擊到陰極同時產(chǎn)生二次電子，二次電子轟擊到陽極產(chǎn)生X射線，X射線發(fā)射出射線管。

所述的離子源為潘寧離子源、高頻離子源、考夫曼離子源中的一種，產(chǎn)生的正離子包括氘正離子、氚正離子中的一種或以上。

所述陰極的材料中包括氘化鈦、氘化鋯、氘化鉺、氘化鈧、氚化鈦、氚化鋯、氚化鉺、氚化鈧中的一種或其組合。

所述陽極的材料包括石墨、鎢、金、銀、銅、鈀、銠、鉬、鐵、鈷、鎳、鉻、鉛的單質(zhì)或其組合所形成的化合物、合金、金屬間化合物或復(fù)合材料中的一種。

本發(fā)明的射線管通過共用一套供電系統(tǒng)，能夠利用一個射線管同時產(chǎn)生X射線和中子射線，具有結(jié)構(gòu)緊湊、成本低、安全性好的優(yōu)點。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的射線管的示意圖；

圖中，1.離子源2.陰極3.陽極4.殼體5.電源Ⅰ6.電源Ⅱ。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。

如圖1所示，本發(fā)明的射線管包括離子源1、陰極2、陽極3、殼體4、電源Ⅰ5和電源Ⅱ6，其中：

所述的離子源1、陰極2、陽極3位于殼體4的空腔中，殼體4的空腔為真空環(huán)境；

所述的離子源1由外接的電源Ⅰ5供電；

所述的離子源1與陽極3之間通過電路連接，離子源1的電位為A，陽極3的電位為C；

所述的離子源1、陰極2和外接的電源Ⅱ6之間通過電路連接，陰極2的電位為B，A＞B，C＞B；

所述射線管工作過程如下：

a.打開電源Ⅰ5和電源Ⅱ6；

b.離子源1產(chǎn)生的正離子轟擊到陰極2產(chǎn)生中子射線，中子射線發(fā)射出射線管；

c.步驟b的正離子轟擊到陰極2同時產(chǎn)生二次電子，二次電子轟擊到陽極3產(chǎn)生X射線，X射線發(fā)射出射線管。

所述的離子源1為潘寧離子源、高頻離子源、考夫曼離子源中的一種，產(chǎn)生的正離子包括氘正離子、氚正離子中的一種或以上。

所述陰極2的材料中包括氘化鈦、氘化鋯、氘化鉺、氘化鈧、氚化鈦、氚化鋯、氚化鉺、氚化鈧中的一種或其組合。

所述陽極3的材料包括石墨、鎢、金、銀、銅、鈀、銠、鉬、鐵、鈷、鎳、鉻、鉛的單質(zhì)或其組合所形成的化合物、合金、金屬間化合物或復(fù)合材料中的一種。

實施例1