[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體圖形的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610576884.4
• 申請(qǐng)日: 2016-07-21
• 公開（公告）號(hào): CN107275193B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周國耀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

本發(fā)明公開了一種形成半導(dǎo)體圖形的方法，包含在光阻層上使用光罩進(jìn)行微縮影工藝，其中光罩具有多個(gè)第一開孔與多個(gè)第二開孔分別位于光罩的第一區(qū)域與第二區(qū)域，其中光罩的第二區(qū)域位于光罩的邊緣以及第一區(qū)域之間，且每個(gè)第一開孔的尺寸大于每個(gè)第二開孔的尺寸，其中微縮影工藝是經(jīng)由第一開孔與第二開孔分別在光阻層上形成第一主要特征以及虛設(shè)特征；在光阻層中填入縮孔材料，讓縮孔材料進(jìn)入第一主要特征與虛設(shè)特征中，以在每個(gè)第一主要特征中分別形成第二主要特征，并封閉虛設(shè)特征；以及，使用具有第二主要特征的光阻層蝕刻基底。此種方法可使基底的每個(gè)特征的電性特性更趨一致性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體圖形的方法，特別涉及在半導(dǎo)體工件上形成具有大小一致的最小特征尺寸的圖形化特征的方法。

背景技術(shù)

通過傳統(tǒng)的形成半導(dǎo)體圖形的方法所制造的半導(dǎo)體工件，其在半導(dǎo)體工件上所形成的圖形化特征的最小特征尺寸(minimum feature sizes,CD)通常會(huì)發(fā)散成大小不一的尺寸。然而，圖形化特征的最小特征尺寸的一致性會(huì)影響半導(dǎo)體工件的電性性質(zhì)，例如是電阻或阻抗等。舉例來說，具有圖形化特征的半導(dǎo)體工件，若圖形化特征的最小特征尺寸發(fā)散成大小不一的尺寸時(shí)，則難以對(duì)半導(dǎo)體工件執(zhí)行阻抗匹配消除背景雜訊或其它雜訊等。因此，當(dāng)圖形化特征的最小特征尺寸具有大小不一的尺寸時(shí)，可能影響到對(duì)半導(dǎo)體工件進(jìn)行阻抗匹配的調(diào)整等，而讓意圖減少半導(dǎo)體工件的雜訊的功效降低。

由此可見，上述形成半導(dǎo)體圖形的方法，顯然仍存在不便與缺陷，而有待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述問題，相關(guān)領(lǐng)域莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的方式被發(fā)展完成。因此，如何能活躍解決上述問題，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前相關(guān)領(lǐng)域亟需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一方面是有關(guān)于一種形成半導(dǎo)體圖形的方法，其利用設(shè)置具有較小尺寸的第二開孔于第一開孔與光罩的邊緣之間，以在微縮影工藝中輔助第一開孔于光阻層形成尺寸大小較為一致的第一主要特征，并通過后續(xù)工藝在第一主要特征中形成尺寸大小一致的第二主要特征。如此一來，可利用具有尺寸大小一致的第二主要特征的光阻層作為蝕刻工藝或其它合適工藝的遮罩，以在后續(xù)的其它工藝中，在半導(dǎo)體工件內(nèi)制造具有相同的最小特征尺寸的圖形化特征，而讓半導(dǎo)體工件內(nèi)的每個(gè)圖形化特征的電性特性較趨一致性。

根據(jù)本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，提供一種形成半導(dǎo)體圖形的方法。形成半導(dǎo)體圖形的方法從在光阻層上使用光罩進(jìn)行微縮影工藝的步驟開始。其中光罩具有多個(gè)第一開孔與多個(gè)第二開孔分別位于光罩的第一區(qū)域與第二區(qū)域，其中光罩的第二區(qū)域位于光罩的邊緣以及第一區(qū)域之間，且每個(gè)第一開孔的尺寸大于每個(gè)第二開孔的尺寸。微縮影工藝是經(jīng)由多個(gè)第一開孔與多個(gè)第二開孔分別用以在光阻層上形成多個(gè)第一主要特征以及多個(gè)虛設(shè)特征；在光阻層中填入縮孔材料，讓縮孔材料進(jìn)入第一主要特征與虛設(shè)特征中，以在每個(gè)第一主要特征中分別形成第二主要特征，并封閉虛設(shè)特征；以及，使用具有第二主要特征的光阻層蝕刻基底，以在基底中形成具有尺寸一致性的圖形化特征。

在本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的在光阻層中填入縮孔材料的步驟可包含形成縮孔材料填滿光阻層的第一主要特征以及虛設(shè)特征；以及，從第一主要特征中移除縮孔材料以形成第二主要特征。

在本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的從第一主要特征中移除縮孔材料的步驟可包含在維持虛設(shè)特征封閉的情況下，在每個(gè)第一主要特征中部分移除縮孔材料并形成一通孔，其中多個(gè)第二主要特征分別被多個(gè)通孔所定義。

在本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的在光阻層上使用光罩進(jìn)行微縮影工藝的步驟可包含通過光罩曝光所述的光阻層；以及，將光阻層對(duì)應(yīng)第一開孔與第二開孔所曝光的區(qū)域移除，以分別形成第一主要特征與虛設(shè)特征。

在本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，上述的通過光罩曝光所述的光阻層的步驟可包含提供具有中央?yún)^(qū)域的光源，其中當(dāng)進(jìn)行通過光罩曝光所述的光阻層的步驟時(shí)，一列或多列的第二開孔位于光源的中央?yún)^(qū)域的邊緣與第一開孔之間。