[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610576170.3 | 申請日： | 2016-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN106469567B | 公開（公告）日： | 2021-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭韓蔚;林優(yōu)鎮(zhèn);宋泰中;鄭盛旭;金奎泓 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社;延世大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán) |
| 主分類號： | G11C11/418 | 分類號： | G11C11/418;G11C7/06;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強(qiáng);尹淑梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲器 裝置 | ||
【說明書】：
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