[發(fā)明專利]電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610567820.8
• 申請日: 2016-07-19
• 公開（公告）號: CN107579037B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 車行遠(yuǎn);姜文萍;侯映君
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在第一導(dǎo)體層上形成堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)從所述第一導(dǎo)體層起依序包括第一介電層、蝕刻終止層與第二介電層；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成介層窗，其中所述介層窗包括阻障層與導(dǎo)電插塞，且所述介層窗與所述第一導(dǎo)體層電連接；

在所述第二介電層中形成第一開口，其中所述第一開口環(huán)繞所述介層窗；

移除所述導(dǎo)電插塞，以形成第二開口；

僅在所述第一開口與所述第二開口中形成電容結(jié)構(gòu)，其中所述電容結(jié)構(gòu)包括下電極、電容介電層以及上電極，且所述下電極與所述第一導(dǎo)體層電連接，其中該下電極、該電容介電層以及該上電極的上表面齊平；

移除部分該下電極，使得下電極的頂面低于該上電極的上表面；

移除相鄰兩電容結(jié)構(gòu)之間的該第二介電層，使該第二介電層的頂面低于該下電極的該頂面；以及

在所述第二介電層上形成絕緣層并覆蓋所述下電極，且暴露部分所述上電極。

2.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述第一開口暴露部分所述蝕刻終止層。

3.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成所述介層窗的步驟包括：

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成介層窗開口，其中所述介層窗開口暴露部分所述第一導(dǎo)體層；

在所述介層窗開口的表面形成所述阻障層；以及

在所述介層窗開口中填入所述導(dǎo)電插塞。

4.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成所述電容結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一開口與所述第二開口的表面形成所述下電極；

在所述下電極上形成所述電容介電層；以及

在所述第一開口與所述第二開口中填入所述上電極。

5.如權(quán)利要求1所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成所述電容結(jié)構(gòu)之后，還包括：

在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)體層，其中所述第二導(dǎo)體層與所述上電極電連接。

6.一種電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在第一導(dǎo)體層上依序形成第一介電層與第二介電層；

在所述第一介電層與所述第二介電層中形成介層窗，其中所述介層窗包括阻障層與導(dǎo)電插塞，且所述介層窗與所述第一導(dǎo)體層電連接；

在所述第二介電層中形成第一開口，其中所述第一開口環(huán)繞所述介層窗；

移除所述導(dǎo)電插塞，以形成第二開口；

僅在所述第一開口與所述第二開口中形成電容結(jié)構(gòu)，其中所述電容結(jié)構(gòu)包括下電極、電容介電層以及上電極，且所述下電極與所述第一導(dǎo)體層電連接，其中該下電極、該電容介電層以及該上電極的上表面齊平；

移除部分該下電極，使得下電極的頂面低于該上電極的上表面；

移除相鄰兩電容結(jié)構(gòu)之間的該第二介電層，使該第二介電層的頂面低于該下電極的該頂面；以及

在所述第二介電層上形成絕緣層并覆蓋所述下電極，且暴露部分所述上電極。

7.如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成所述第二介電層之前，還包括在所述第一介電層上形成蝕刻終止層。

8.如權(quán)利要求7所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述第一開口暴露部分所述蝕刻終止層。

9.如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成所述介層窗的步驟包括：

在所述第一介電層與所述第二介電層中形成介層窗開口，其中所述介層窗開口暴露部分所述第一導(dǎo)體層；

在所述介層窗開口的表面形成所述阻障層；以及

在所述介層窗開口中填入所述導(dǎo)電插塞。

10.如權(quán)利要求6所述的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成所述電容結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一開口與所述第二開口的表面形成所述下電極；

在所述下電極上形成所述電容介電層；以及

在所述第一開口與所述第二開口中填入所述上電極。