[發(fā)明專利]等離子體啟輝方法和設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610566352.2
• 申請(qǐng)日: 2016-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107630207B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張京華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/513
• 分類號(hào): C23C16/513;C23C16/52
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 唐麗;馬佑平

1.一種等離子體啟輝方法，用于將氣體激發(fā)為等離子體，其特征在于，包括以下步驟：

計(jì)算將所述氣體激發(fā)生成等離子體所需的啟輝上電極功率RF，且RF＝RF₁+RF₁*RF₂/(RF₁+RF₂)，其中，RF₁及RF₂分別為將所述氣體維持在等離子體穩(wěn)定狀態(tài)所需的穩(wěn)定上電極功率和穩(wěn)定下電極功率；

啟動(dòng)與上電極相連的第一射頻電源和與下電極相連的第二射頻電源，并將所述第一射頻電源的功率設(shè)定為RF、所述第二射頻電源的功率設(shè)定為RF₂；

檢測(cè)與所述功率設(shè)定為RF的第一射頻電源相對(duì)應(yīng)的反射功率，若所述反射功率小于RF₁*5％，則將所述第一射頻電源的功率設(shè)定為RF₁，所述第二射頻電源的功率仍設(shè)定為RF₂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體啟輝方法，其特征在于，在計(jì)算啟輝上電極功率RF之前，還包括獲取所述穩(wěn)定上電極功率RF₁和所述穩(wěn)定下電極功率RF₂的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體啟輝方法，其特征在于，所述穩(wěn)定上電極功率RF₁和所述穩(wěn)定下電極功率RF₂從等離子體啟輝設(shè)備的存儲(chǔ)單元中獲取。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體啟輝方法，其特征在于，還包括將所述啟輝上電極功率RF存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)單元中的步驟。

5.一種等離子體啟輝設(shè)備，其特征在于，包括啟輝上電極功率計(jì)算單元、第一控制單元、反射功率檢測(cè)單元、以及第二控制單元；

所述啟輝上電極功率計(jì)算單元，用于計(jì)算將氣體激發(fā)生成等離子體所需的啟輝上電極功率RF，且RF＝RF₁+RF₁*RF₂/(RF₁+RF₂)，其中，RF₁及RF₂分別為將所述氣體維持在等離子體穩(wěn)定狀態(tài)所需的穩(wěn)定上電極功率和穩(wěn)定下電極功率；

所述第一控制單元，用于啟動(dòng)與上電極相連的第一射頻電源和與下電極相連的第二射頻電源，并將所述第一射頻電源的功率設(shè)定為RF、所述第二射頻電源的功率設(shè)定為RF₂；

所述反射功率檢測(cè)單元，用于檢測(cè)與所述功率設(shè)定為RF的第一射頻電源相對(duì)應(yīng)的反射功率；

所述第二控制單元，用于若所述功率檢測(cè)單元檢測(cè)到的所述反射功率小于RF₁*5％，則將所述第一射頻電源的功率設(shè)定為RF₁，所述第二射頻電源的功率仍設(shè)定為RF₂。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體啟輝設(shè)備，其特征在于，所述等離子體啟輝設(shè)備還包括存儲(chǔ)單元；所述存儲(chǔ)單元用于存儲(chǔ)所述穩(wěn)定上電極功率RF₁和所述穩(wěn)定下電極功率RF₂。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體啟輝設(shè)備，其特征在于，所述啟輝上電極功率計(jì)算單元，還用于從所述存儲(chǔ)單元中獲取所述穩(wěn)定上電極功率RF₁和所述穩(wěn)定下電極功率RF₂。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體啟輝設(shè)備，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元還用于存儲(chǔ)所述啟輝上電極功率RF。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的啟輝設(shè)備，其特征在于，所述等離子體啟輝設(shè)備還包括第一功率輸入單元；所述第一功率輸入單元用于供用戶輸入所述穩(wěn)定上電極功率RF₁。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的啟輝設(shè)備，其特征在于，所述等離子體啟輝設(shè)備還包括第二功率輸入單元；所述第二功率輸入單元用于供用戶輸入所述穩(wěn)定下電極功率RF₂。