[發(fā)明專利]發(fā)射極化輻射的半導(dǎo)體芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610565977.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106098916B | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | H.林德貝格 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/58 | 分類號(hào)： | H01L33/58;H01L33/10;H01L33/46 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張濤 |
| 地址： | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)射 極化 輻射 半導(dǎo)體 芯片 | ||
【說明書】：
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