[發明專利]基于Spiro-OMeTAD/PbS復合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號： | 201610565249.6 | 申請日： | 2016-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN106129252B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 方國家;鄭小璐;雷紅偉 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 馬麗娜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 鈣鈦礦 復合空穴傳輸層 金屬電極 緩沖層 硫化鉛 制備 光電轉化效率 空穴 產業化發展 電池穩定性 電子傳輸層 鈣鈦礦薄膜 光熱穩定性 緩沖層材料 金屬電極層 空穴傳輸層 空穴遷移率 硫化鉛薄膜 濕度穩定性 保護器件 提升器件 透明導電 蒸發法制 吸光層 氧化物 襯底 復合 生產 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
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