[發明專利]切斷裝置、基板的切斷方法及切斷裝置的基板載置部用構件有效
| 申請號: | 201610562421.2 | 申請日: | 2016-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN106393453B | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發明(設計)人: | 巖坪佑磨;金平雄一;村上健二 | 申請(專利權)人: | 三星鉆石工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B28D1/22;B28D7/04;B28D5/04 |
| 代理公司: | 11413 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 袁波;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 主表面 透明彈性體 可見光 透射率 切斷裝置 對基板 刻劃線 載置部 板狀 基板 平坦 基板載置部 最大凹凸差 水平姿態 不透明 載置面 膜貼 相向 載置 | ||
1.一種切斷裝置,對在一個主表面側形成有刻劃線的基板沿著所述刻劃線進行切斷,具有:
載置部,以水平姿態載置所述基板,以及
切斷刃,以相對于所述載置部進退自由的方式設置在所述載置部的上方,
所述切斷裝置以如下方式構成:在將所述基板以使所述刻劃線的延伸方向和所述切斷刃的刀刃的延伸方向一致的方式載置于所述載置部的狀態下,使所述切斷刃下降至規定的下降停止位置,由此沿著所述刻劃線對所述基板進行分割,
所述載置部包括:
板狀的彈性體,在第1主表面設置有最大凹凸差為50μm以下的凹凸,并且與所述第1主表面相向的第2主表面比所述第1主表面平坦,以及
膜,貼付在所述彈性體的所述第1主表面側,非貼付面是平坦的,
所述第2主表面是所述基板的被載置面。
2.如權利要求1所述的切斷裝置,其特征在于,
所述彈性體是板狀的透明彈性體,通過在所述第1主表面設置有所述凹凸,從而使所述第1主表面附近成為可見光的透射率比其它部分相對小的不透明部分,
在未貼付所述膜的狀態下的所述透明彈性體整體的厚度方向的可見光的透射率為30%以下,
所述載置部整體的厚度方向的可見光的透射率為60%以上。
3.如權利要求2所述的切斷裝置,其特征在于,
所述透明彈性體是硅酮橡膠。
4.如權利要求1至3中任一項所述的切斷裝置,其特征在于,
所述彈性體的所述第2主表面的最大凹凸差為20μm以下。
5.如權利要求1至3中任一項所述的切斷裝置,其特征在于,
所述彈性體的硬度為50°以上且90°以下。
6.如權利要求1至3中任一項所述的切斷裝置,其特征在于,
所述膜是在規定的基材的表面賦予粘合性而成的膜。
7.一種基板的切斷方法,對在一個主表面側形成有刻劃線的基板沿著所述刻劃線進行切斷,具有:
將所述基板以水平姿態載置在載置部上,以使所述刻劃線的延伸方向與相對于所述載置部進退自由地設置在所述載置部的上方的切斷刃的刀刃的延伸方向一致的工序,以及
在將所述基板載置于所述載置部上的狀態下使所述切斷刃下降至規定的下降停止位置,由此沿著所述刻劃線對所述基板進行分割的工序,
作為所述載置部使用如下的載置部,其包括:
板狀的彈性體,在第1主表面設置有最大凹凸差為50μm以下的凹凸,并且與所述第1主表面相向的第2主表面比所述第1主表面平坦,以及
膜,貼付在所述彈性體的所述第1主表面側,非貼付面是平坦的,
將所述第2主表面作為所述基板的被載置面。
8.如權利要求7所述的基板的切斷方法,其特征在于,
所述彈性體是板狀的透明彈性體,通過在所述第1主表面設置有所述凹凸從而使所述第1主表面附近成為可見光的透射率比其它部分相對小的不透明部分,
未貼付所述膜的狀態下的所述透明彈性體整體的厚度方向的可見光的透射率為30%以下,
所述載置部整體的厚度方向的可見光的透射率為60%以上。
9.如權利要求8所述的基板的切斷方法,其特征在于,
所述透明彈性體是硅酮橡膠。
10.如權利要求7至9中任一項所述的基板的切斷方法,其特征在于,
存在于所述彈性體的所述第1主表面的凹凸是通過如下方式形成的,即,在將利用加熱成型而形成的厚度偏差為100μm以上的初始彈性體吸附在規定的水平的吸附面的狀態下對所述初始彈性體的一個主表面進行拋光而形成的,
所述初始彈性體的吸附在所述吸附面的一側的主表面作為所述彈性體的所述第2主表面。
11.如權利要求7至9中任一項所述的基板的切斷方法,其特征在于,
所述彈性體的所述第2主表面的最大凹凸差為20μm以下。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





